[发明专利]一种静电吸盘性能的监测方法有效
申请号: | 201410652825.1 | 申请日: | 2014-11-17 |
公开(公告)号: | CN104362110A | 公开(公告)日: | 2015-02-18 |
发明(设计)人: | 罗永坚;任昱;吕煜坤;朱骏;张旭升 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人: | 吴世华;林彦之 |
地址: | 201210 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 静电 吸盘 性能 监测 方法 | ||
1.一种静电吸盘性能的监测方法,在等离子体干法刻蚀反应腔中进行,所述反应腔室内具有静电吸盘,其上用于紧密吸附晶圆;中空管穿过所述静电吸盘;所述中空管的顶部开口与所述晶圆的背部相对,通过所述中空管向所述晶圆背部通入冷却气体;其特征在于,所述监测方法包括以下步骤:
步骤01:将晶圆置于反应腔室内的静电吸盘上;
步骤02:将所述晶圆紧密吸附在所述静电吸盘表面;
步骤03:打开真空阀,对所述反应腔室抽真空;
步骤04:关闭所述真空阀,检测所述反应腔室的气体泄漏率;
步骤05:通过所述中空管向所述晶圆背部通入冷却气体,并检测通入冷却气体后的反应腔室的泄漏率;
步骤06:用通入冷却气体之后的所述反应腔室的气体泄漏率减去通入冷却气体之前的所述反应腔室的气体泄漏率,得到所述冷却气体从所述晶圆背面泄漏到所述反应腔室的泄漏率;
步骤07:设定一阈值,当所述冷却气体泄漏到所述反应腔室的泄漏率超过所述阈值时,判断得出所述静电吸盘的性能下降。
2.根据权利要求1所述的静电吸盘性能的监测方法,其特征在于,所述步骤05具体包括:向所述晶圆背部通入一组具有不同压强的冷却气体,并检测所述不同压强的冷却气体条件下所对应的所述反应腔室的气体泄漏率。
3.根据权利要求2所述的静电吸盘性能的监测方法,其特征在于,所述步骤05中,所述冷却气体的压强大于40Torr。
4.根据权利要求1所述的静电吸盘性能的监测方法,其特征在于,所述中空管为多个,分布于所述静电吸盘的中间位置和边缘位置;所述步骤05还包括:通过位于所述中间位置的所述中空管向所述晶圆背部通入冷却气体,并检测此时的反应腔室的泄漏率;通过位于所述边缘位置的所述中空管向所述晶圆背部通入冷却气体,并检测此时的反应腔室的泄漏率。
5.根据权利要求1-4任意一项所述的静电吸盘性能的监测方法,其特征在于,所述步骤02中,通过向所述晶圆表面充静电并向所述静电吸盘上施加电压的方式将所述晶圆紧密吸附在所述静电吸盘的表面。
6.根据权利要求5所述的静电吸盘性能的监测方法,其特征在于,所述冷却气体为氦气。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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