[发明专利]一种柔性衬底上制备高结合力吸收层的方法

权利要求书

1.一种柔性衬底上制备高结合力吸收层的方法，其特征是：柔性衬底上制备高结合力 吸收层时，在CIGS吸收层与Mo电极层之间设计一(In_1-x,Ga_x)₂Se₃薄膜0.2<x<0.8 应力缓冲层；柔性CIGS薄膜太阳电池包含多层结构；制备应力缓冲层(In_1-x,Ga_x) ₂Se₃薄膜的工艺步骤为：整个蒸发腔室的真空压强达到1×10^-4Pa，在CIGS薄膜吸收 层沉积之前，采用共蒸发In、Ga和Se元素沉积(In_1-x,Ga_x)₂Se₃薄膜；沉积过程中， 衬底温度350℃～480℃，蒸发腔室中始终保持Se气氛；Ga、In蒸发源的温度分别 恒定为900℃-1100℃、800℃-1000℃，Se蒸发源为250℃～350℃保持恒定，得到 (In_1-x,Ga_x)₂Se₃薄膜，然后沉积CIGS吸收层。

2.根据权利要求1所述的柔性衬底上制备高结合力吸收层的方法，其特征是：(In_1-x,Ga_x) ₂Se₃薄膜沉积速率为10-50nm/min，沉积过程中腔室的真空压强保持0.8-1.2×10^-3Pa。

3.根据权利要求1或2所述的柔性衬底上制备高结合力吸收层的方法，其特征是：柔 性CIGS薄膜太阳电池包含多层结构，采用柔性PI衬底或金属衬底衬底，其上结构 依次为Mo底电极、应力缓冲层(In_1-x,Ga_x)₂Se₃薄膜、p型CIGS吸收层、n型CdS 缓冲层、i-ZnO层和ZnO:Al窗口层、Ni/Al金属栅电极。

4.根据权利要求3所述的柔性衬底上制备高结合力吸收层的方法，其特征是：Mo底电 极厚度为0.5～1μm，应力缓冲层(In_1-x,Ga_x)₂Se₃薄膜厚度为100nm～1000nm，p型 CIGS吸收层厚度为1～3μm，n型CdS缓冲层厚度为45-55nm，i-ZnO层和ZnO:Al 窗口层厚度分别为50nm和300～500nm。

5.根据权利要求1或2所述的柔性衬底上制备高结合力吸收层的方法，其特征是：柔 性CIGS薄膜太阳电池包含多层结构，采用柔性PI衬底或金属衬底衬底，其上结构 依次为Mo底电极、应力缓冲层(In_1-x,Ga_x)₂Se₃薄膜、p型CIGS吸收层、n型CdS 缓冲层、i-ZnO层和ZnO:Al窗口层、Ni/Al金属栅电极，在上述电池结构的表面沉积 一层MgF₂减反射层。

6.根据权利要求5所述的柔性衬底上制备高结合力吸收层的方法，其特征是：MgF₂减 反射层厚度为90-110nm。