[发明专利]一种工业CT机X射线管用透射靶及其制备方法

权利要求书

1.一种工业CT机X射线管用透射靶，其特征在于：所述的透射靶包括钨-铝靶和钨-金刚石靶两种类型；所述的钨-铝靶包括靶面(1)和铝基体(201)；所述的钨-金刚石靶包括靶面(1)、金刚石基体(5)和铝支撑架(202)；所述的靶面(1)为圆形的钨薄膜；所述的铝基体(201)和金刚石基体(5)均为圆形薄片；所述的钨-金刚石靶的铝支撑架(202)的中心开有一个通孔，所述的金刚石基体(5)放置在铝支撑架(202)的中心通孔内，与铝支撑架(202)焊接在一起；所述的靶面(1)采用磁控溅射方法镀在铝基体(201)表面或金刚石基体(5)表面。

2.根据权利要求1所述的工业CT机X射线管用透射靶，其特征在于：所述的铝基体(201)的中心有一个不通孔，所述钨薄膜的靶面(1)通过磁控溅射镀在铝基体(201)的不通孔的凹面上。

3.根据权利要求1所述的工业CT机X射线管用透射靶，其特征在于：所述的铝基体(201)表面中心开有一个O型密封槽(4)；所述的密封槽(4)与铝基体的中心共圆心；所述的铝支撑架的上表面有一个O型密封槽，该O型密封槽与铝支撑架(202)共圆心。

4.制备权利要求1所述的工业CT机X射线管用透射靶的方法，其特征在于所述的钨-铝透射靶的制备方法包括以下步骤：

1)清洗铝基体和钨靶材：将铝基体用丙酮侵泡2-4h去油，再用工业乙醇超声波清洗1-2h，清洗完毕置于干燥皿中备用；将钨靶材用丙酮侵泡1-2h去油，再用工业乙醇超声波清洗0.5-1h，清洗完毕置于干燥皿中备用；

2)镀膜前预处理：将基体通过掩膜装架放在磁控溅射设备的片架上，放入溅射装置的真空腔体内，抽真空至约4×10^-4Pa时，通入氩气，并动态维持0.6-1Pa；打开溅射电源，将钨靶材预溅射3-5分钟，去除钨靶材表面的氧化物和污染物；

3)镀膜：控制溅射功率、时间和基底温度，溅射功率为100-150W，溅射时间为3-6h，基底温度控制在400-500℃范围内，溅射沉积钨薄膜靶面厚度为2-8μm；

4)钨薄膜靶面溅射沉积完毕后，关闭溅射源，继续抽真空，并通入氩气作为保护气体，待逐渐冷却到室温，即得到钨-铝透射靶。

5.制备权利要求1所述的工业CT机X射线管用透射靶的方法，其特征在于所述的钨-金刚石透射靶的制备方法包括以下步骤：

1)清洗钨靶材：将金刚石和铝支撑架用丙酮侵泡2-4h去油，再用工业乙醇超声波清洗1-2h，清洗完毕置于干燥皿中备用；将钨靶材用丙酮侵泡1-2h去油，再用工业乙醇超声波清洗0.5-1h，清洗完毕置于干燥皿中备用；

2)镀膜前预处理：将基体通过掩膜装架放在磁控溅射设备的片架上，放入溅射装置的真空腔体内，抽真空至约4×10^-4Pa时，通入氩气，并动态维持0.6-1Pa。打开溅射电源，将钨靶材预溅射3-5分钟，去除钨靶材表面的氧化物和污染物；

3)镀膜：控制溅射功率、时间和基底温度，溅射功率为100-150W，溅射时间为3-6h，基底温度控制在400-500℃范围内，溅射沉积钨薄膜靶面厚度为2-8μm；

4)钨薄膜靶面溅射沉积完毕后，关闭溅射源，继续抽真空，并通入氩气作为保护气体；待逐渐冷却到室温，即得到镀有钨薄膜的金刚石基体；

5)将镀有钨薄膜的金刚石基体采用银铜焊料，通过真空热焊方式连接在铝支撑架上，焊接温度为400-500℃，真空度为1×10^-3Pa，即得到钨-金刚石透射靶。