[发明专利]一种具有超高ESD的高精度测温芯片的版图结构有效
申请号: | 201410653754.7 | 申请日: | 2014-11-18 |
公开(公告)号: | CN104485330A | 公开(公告)日: | 2015-04-01 |
发明(设计)人: | 不公告发明人 | 申请(专利权)人: | 北京七芯中创科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 100029 北京市朝*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 具有 超高 esd 高精度 测温 芯片 版图 结构 | ||
技术领域
本发明涉及集成电路设计技术领域,特别涉及具有超高ESD的高精度测温芯片的版图结构
背景技术
对于冷冻库测温,粮仓测温,储罐测温,电讯机房测温,电力机房测温,电缆线槽测温,高炉水循环测温,锅炉测温,机房测温,农业大棚测温,洁净室测温,弹药库测温等各种非极限温度场合,经常需要耐磨耐碰,体积小,使用方便,适用于各种狭小空间的数字测温设备。
由于使用环境恶劣,通信线路长期受到静电以及雷电的干扰,为了保证芯片的正常工作,在芯片的接口处增加了超高ESD电路,并优化了芯片内部模块的摆放,增加了对敏感单元的保护,加强了对易受干扰端口的ESD保护,保证了芯片的正常工作。
发明内容
为了解决由于版图设计不合理,导致具有超高ESD的高精度测温芯片设计的问题,本发明提供了一种高精度测温芯片版图结构,所述温度补偿高精度测温芯片版图由第1版图区、第2版图区、第3版图区、第4版图区、第5版图区、第6版图区、第7版图区、第8版图区和第9版图区组成;
所述第1版图区为超强ESD版图区,所述超强ESD版图区由ESD及ESD增强电路组成。
所述第2版图区为电源管理电路版图区,所述电源管理电路版图区由控制电路、电容组成,每个部分都有独立的保护环。
所述第3版图区为接口电路版图区,所述接口电路版图区有接口通信电路、 抗干扰电路,并设计了保护环。
所述第4版图区为数字控制电路版图区,所述数字控制电路版图区由数字电路版图、粗修调电路版图、细修调电路版图组成。
所述第5版图区为新型补偿算法电路版图区,设计了具有自主知识产权的新型补偿算法数字电路。
所述第6版图区为数字处理电路版图区,有独立的保护环。
所述第7版图区为存储电路版图区,所述存储电路版图区由数字暂存器版图和非易失存储器版图组成。
所述第8版图区为高精度测温电路版图区,所述高精度测温电路版图区由测温电路版图、放大器版图、稳压源版图以及电阻修调版图组成,测温电路版图共质心。
所述第9版图区为高精度转换电路版图区,具体包括电流镜版图、参考电压源版图以及ADC版图。
附图说明
图1具有超高ESD的高精度测温芯片版图结构示意图
图2具有超高ESD的高精度测温芯片实物图
具体实施方式
由于使用环境恶劣,通信线路长期受到静电以及雷电的干扰,为了保证芯片的正常工作,在芯片的接口处增加了超高ESD电路,并优化了芯片内部模块的摆放,增加了对敏感单元的保护,加强了对易受干扰端口的ESD保护,保证了芯片的正常工作。
所述的具有超高ESD的高精度测温芯片版图由第1版图区、第2版图区、第3版图区、第4版图区、第5版图区、第6版图区、第7版图区、第8版图 区和第9版图区组成;第1版图区与2、3版图区都相连,第2版图区与1、3版图区都相连,第3版图区与1、2、5、9版图区都相连,第4版图区与5、6版图区都相连,第5版图区与1、3、4、6、8、9版图区都相连,第6版图区与2、4、6、7、8、9版图区都相连,第7版图区与5、6、8、9版图区都相连,第8版图区与2、5、6、7、9都相连,第9版图区与2、5、6、7、8版图区都相连。
本发明具有超高ESD的高精度测温芯片的各个版图区位置固定,优化了具有超高ESD的高精度测温芯片版图的设计,减少了数字噪声对温度检测/模拟电路的干扰。
本发明的技术内容及技术特征揭示如上,但熟悉本领域的技术人员可能基于本发明做不背离本发明精神的改动与修饰。因此本发明将不会限制于本文所示的这些实施例,而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽范围。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的