[发明专利]一种无背部大声学腔体的MEMS硅麦克风

权利要求书

1.一种无背部大声学腔体的MEMS硅麦克风，包括背极板硅基（1）及位于所述背极板硅基（1）上方的振膜（2），其特征在于：背极板硅基（1）和振膜（2）均导电良好，作为麦克风电容的两极板；背极板硅基（1）上沉积有背极板金属电极（5），背极板金属电极的材质为Al/Cu合金或Al/Cu合金加上Au，背极板金属电极（5）和背极板硅基（1）电连接；背极板硅基（1）上设有若干个TSV声孔（3），TSV声孔（3）直接与大气相通；振膜（2）上设有小凸柱（7）；振膜（2）上沉积有振膜电极（8），振膜电极（8）和振膜（2）电连接；振膜电极（8）和背极板金属电极（5）分别为麦克风电容两极板的输出信号引出端，用来与CMOS信号放大电路实现电连接；振膜（2）和背极板硅基（1）经硅硅键合工艺键合成一体，振膜（2）由氧化硅层（6）支撑悬于背极板硅基（1）的上方，振膜（2）和背极板硅基（1）之间有气隙（4），背极板硅基（1）、振膜（2）和气隙（4）形成电容结构。

2.根据权利要求 1 所述的一种无背部大声学腔体的MEMS硅麦克风，其特征在于：所述振膜（2）上设有的小凸柱（7）为高硅氮化硅层，小凸柱（7）阻止振膜（2）和背极板硅基（1）吸合在一起。

3.根据权利要求 1 所述的一种无背部大声学腔体的MEMS硅麦克风，其特征在于：所述的振膜（2）和背极板硅基（1）之间的气隙（4）由湿法刻蚀氧化硅形成，振膜（2）厚度为1～7μm，背极板硅基（1）的厚度为400μm。

4.根据权利要求 1 所述的一种无背部大声学腔体的MEMS硅麦克风，其特征在于：所述的无背部大声学腔体的MEMS硅麦克风采用贯通整个背极板硅基（1）的TSV声孔（3）来实现振膜（2）与外界大气间的连通，所述的TSV声孔（3）设有50～150个，单个孔径为20～40μm。