[发明专利]嵌入式锗硅器件的形成方法在审
| 申请号： | 201410654464.4 | 申请日： | 2014-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN105679710A | 公开（公告）日： | 2016-06-15 |
| 发明（设计）人： | 李全波;崇二敏;张瑜 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 张振军 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 嵌入式 器件 形成 方法 | ||
1.一种嵌入式锗硅器件的形成方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底，所述该半导体衬底包括PMOS区域和NMOS区域，所述 PMOS区域和NMOS区域上形成有栅极结构；
在所述半导体衬底上沉积第一介质层；
采用光刻和刻蚀工艺去除所述PMOS区域内的第一介质层，并将该光刻工艺 中使用的第一光阻去除；
在所述半导体衬底上沉积第二介质层；
采用光刻和刻蚀工艺去除所述PMOS区域内的第二介质层，并将该光刻工艺 中使用的第二光阻去除；
所述第二光阻被去除之后，对所述PMOS区域内栅极结构两侧的半导体衬底 进行刻蚀，以形成凹槽；
在所述凹槽中沉积锗硅。
2.根据权利要求1所述的嵌入式锗硅器件的形成方法，其特征在于，所述第 一介质层的材料为SiN或SiO2，所述第二介质层的材料为SiN或SiO2。
3.根据权利要求1所述的嵌入式锗硅器件的形成方法，其特征在于，所述第 一介质层的厚度为所述第二介质层的厚度为
4.根据权利要求1所述的嵌入式锗硅器件的形成方法，其特征在于，采用光 刻和刻蚀工艺去除所述PMOS区域内的第一介质层包括：
形成所述第一光阻，并对该第一光阻进行图案化以定义出所述PMOS区域；
以图案化后的第一光阻为掩膜对所述第一介质层进行刻蚀，以去除所述PMOS 区域内的第一介质层。
5.根据权利要求4所述的嵌入式锗硅器件的形成方法，其特征在于，采用湿 法刻蚀去除所述PMOS区域内的第一介质层。
6.根据权利要求1所述的嵌入式锗硅器件的形成方法，其特征在于，采用光 刻和刻蚀工艺去除所述PMOS区域内的第二介质层包括：
形成所述第二光阻，并对该第二光阻进行图案化以定义出所述PMOS区域；
以图案化后的第二光阻为掩膜对所述第二介质层进行刻蚀，以去除所述PMOS 区域内的第二介质层。
7.根据权利要求6所述的嵌入式锗硅器件的形成方法，其特征在于，采用干 法刻蚀去除所述PMOS区域内的第二介质层。
8.根据权利要求1所述的嵌入式锗硅器件的形成方法，其特征在于，采用光 刻和刻蚀工艺去除所述PMOS区域内的第一介质层以及第二介质层时，两次光刻 采用的是同一光罩。
9.根据权利要求1所述的嵌入式锗硅器件的形成方法，其特征在于，在所述 凹槽中沉积锗硅之前，该方法还包括：对所述半导体衬底进行湿法清洗。
10.根据权利要求1所述的嵌入式锗硅器件的形成方法，其特征在于，在所 述凹槽中沉积锗硅之后，该方法还包括：移除所述NMOS区域内的第一介质层和 第二介质层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
