[发明专利]鳍层光刻对准标记的制备方法有效
| 申请号： | 201410654615.6 | 申请日： | 2014-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN104409444B | 公开（公告）日： | 2018-01-02 |
| 发明（设计）人： | 李铭;袁伟 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)31275 | 代理人： | 吴世华,林彦之 |
| 地址： | 201210 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 光刻 对准 标记 制备 方法 | ||
1.一种用于鳍型晶体管工艺中的鳍层光刻对准标记的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤01：根据鳍层的鳍标准宽度，设计版图中常规区域的牺牲层图形以及光刻对准标记处的牺牲层图形；其中，所述光刻对准标记处的牺牲层图形的宽度和间距均大于所述鳍标准宽度的两倍，且所述常规区域的牺牲层图形的间距大于所述光刻对准标记处的牺牲层图形的间距；
步骤02：在一硅衬底上沉积牺牲层；
步骤03：采用所述版图，在所述牺牲层中刻蚀出常规区域的牺牲层图形以及光刻对准标记处的牺牲层图形；
步骤04：在完成所述步骤03的所述硅衬底上沉积边墙介质层，所述边墙介质层填充满所述光刻对准标记处的牺牲层图形的间距，且在竖直方向上的所述边墙介质层的横向厚度小于所述常规区域的牺牲层图形的间距的一半；
步骤05：刻蚀所述步骤03所形成的牺牲层图形顶部的所述边墙介质层，暴露出所述牺牲层图形的顶部，从而形成边墙硬掩膜；
步骤06：将常规区域的和光刻对准标记处的牺牲层图形去除；
步骤07：利用所述边墙硬掩膜，在所述硅衬底中刻蚀出鳍；所述光刻对准标记处的鳍的宽度大于所述常规区域的鳍的宽度。
2.根据权利要求1所述鳍层光刻对准标记的制备方法，其特征在于，所述步骤01中，所述版图中，所述光刻对准标记处的牺牲层图形的间距为所述鳍标准宽度的三倍。
3.根据权利要求2所述鳍层光刻对准标记的制备方法，其特征在于，所述步骤01中，所述版图中，所述光刻对准标记处的牺牲层图形的宽度大于或等于所述鳍标准宽度的三倍。
4.根据权利要求1所述鳍层光刻对准标记的制备方法，其特征在于，所述步骤04中，所述边墙介质层的厚度为所述鳍标准宽度的1.5倍。
5.根据权利要求1所述鳍层光刻对准标记的制备方法，其特征在于，所述步骤07中，所述光刻对准标记处的鳍宽度为所述鳍标准宽度的三倍。
6.根据权利要求5所述鳍层光刻对准标记的制备方法，其特征在于，所述步骤07中，所述常规区域的鳍宽度为所述鳍标准宽度。
7.根据权利要求1-6任意一项所述鳍层光刻对准标记的制备方法，其特征在于，所述步骤02中，沉积所述牺牲层之前，还包括，在所述硅衬底上沉积刻蚀阻挡层。
8.根据权利要求7所述鳍层光刻对准标记的制备方法，其特征在于，所述步骤07中，包括：利用所述边墙硬掩膜，刻蚀所述刻蚀阻挡层和所述硅衬底，从而在所述硅衬底中形成鳍。
9.根据权利要求1所述鳍层光刻对准标记的制备方法，其特征在于，所述步骤05中，采用等离子体干法刻蚀工艺来刻蚀所述边墙介质层。
10.根据权利要求1所述鳍层光刻对准标记的制备方法，其特征在于，所述步骤06中，采用干法刻蚀去除所述牺牲层。
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