[发明专利]运算放大器有效
申请号: | 201410654712.5 | 申请日: | 2014-11-17 |
公开(公告)号: | CN104393846B | 公开(公告)日: | 2018-02-06 |
发明(设计)人: | 邵博闻;唐成伟 | 申请(专利权)人: | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
主分类号: | H03F3/45 | 分类号: | H03F3/45 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司31211 | 代理人: | 郭四华 |
地址: | 201203 上海市浦东*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 运算放大器 | ||
1.一种运算放大器,其特征在于,包括:
第一级放大电路,为单端输出差分放大电路,所述单端输出差分放大电路的反相输出端作为所述第一级放大电路的输出端并输出第一级放大信号;
第二级放大电路,其输入端连接所述第一级放大信号,所述第二级放大电路的输出端输出第二级放大信号;所述第二级放大电路的输入端和输出端之间连接第一电容;所述第一电容在所述第二级放大电路的输入端和输出端形成密勒补偿通路;
所述第二级放大电路包括第一MOS晶体管,所述第一MOS晶体管和所述第二级放大电路的输出端相连并为所述第二级放大电路提供电流源负载;
所述单端输出差分放大电路的反相输入端通过第二电容连接到所述第一MOS晶体管的栅极,前馈通路形成在所述单端输出差分放大电路的反相输入端和所述第二级放大电路的输出端之间且由所述第二电容和所述第一MOS晶体管组成,所述第一MOS晶体管对前馈通路信号放大且所述第一MOS晶体管的跨导设置为大于所述第一级放大电路的跨导使运算放大器形成一个左半平面零点;
所述第二级放大电路的放大部分由第六PMOS管组成,所述第一MOS晶体管为NMOS管,所述第六PMOS管的源极连接电源电压,所述第六PMOS管的栅极作为所述第二级放大电路的输入端,所述第六PMOS管的漏极连接所述第一MOS晶体管的漏极并作为所述第二级放大电路的输出端,所述第一MOS晶体管的源极接地;
所述运算放大器还包括第二电流源、第七NMOS管,所述第二电流源输入到所述第七NMOS管的漏极,所述第七NMOS管的漏极和栅极连接所述第一MOS晶体管的栅极,所述第七NMOS管的源极接地,所述第一MOS晶体管为所述第七NMOS管的镜像路径并提供所述电流源负载;
所述第七NMOS管的漏极和栅极通过一电阻连接所述第一MOS晶体管的栅极。
2.如权利要求1所述的运算放大器,其特征在于:由第二MOS晶体管和第三MOS晶体管组成所述单端输出差分放大电路的输入对管,所述第二MOS晶体管的栅极为所述单端输出差分放大电路的反相输入端,所述第三MOS晶体管的栅极为所述单端输出差分放大电路的正相输入端,所述第三MOS晶体管的漏极作为所述单端输出差分放大电路的反相输出端。
3.如权利要求2所述的运算放大器,其特征在于:所述第二MOS晶体管和所述第三MOS晶体管都为NMOS管。
4.如权利要求3所述的运算放大器,其特征在于:所述第二MOS晶体管的负载由第四PMOS管组成,所述第三MOS晶体管的负载由第五PMOS管组成,所述第四PMOS管的源极和所述第五PMOS管的源极都连接电源电压,所述第四PMOS管的栅极和漏极和所述第五PMOS管的栅极都连接所述第二MOS晶体管的漏极,所述第五PMOS管的漏极连接所述第三MOS晶体管的漏极。
5.如权利要求3所述的运算放大器,其特征在于:所述第二MOS晶体管和所述第三MOS晶体管的源极都连接第一电流源。
6.如权利要求5所述的运算放大器,其特征在于:所述运算放大器还包括第二电流源、第七NMOS管和第八NMOS管,所述第二电流源输入到所述第七NMOS管的漏极,所述第七NMOS管的漏极和栅极连接所述第八NMOS管的栅极,所述第七NMOS管和所述第八NMOS管的源极都接地,所述第八NMOS管为所述第七NMOS管的镜像路径并提供所述第一电流源。
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