[发明专利]声波滤波器和双工器

权利要求书

1.一种声波滤波器，该声波滤波器包括：

串联共振器和并联共振器，所述串联共振器和并联共振器具有位于同一基板上的压电膜并且具有夹着所述压电膜并彼此面对的下电极和上电极，

其中：

所述串联共振器和所述并联共振器中的一方在共振区域中、在所述下电极或所述上电极的与所述压电膜相反的面上具有温度补偿膜，在所述共振区域中所述下电极与所述上电极夹着所述压电膜并彼此面对，所述补偿膜具有的温度系数的弹性常数的正负号与所述压电膜的弹性常数的温度系数的正负号相反；并且

所述串联共振器和所述并联共振器中的另一方在所述共振区域中、在与所述压电膜相比时在所述下电极侧或所述上电极侧中的与所述串联共振器和所述并联共振器中的所述一方中的所述温度补偿膜的相同侧上具有附加膜。

2.根据权利要求1所述的声波滤波器，其中，所述串联共振器和所述并联共振器中的所述另一方在所述共振区域中、在与所述下电极或所述上电极的与所述压电膜相反的面的设于所述串联共振器和所述并联共振器中的所述一方的温度补偿膜同侧的面上不具有温度补偿膜，所述温度补偿膜具有的温度系数的弹性常数的正负号与所述压电膜的弹性常数的温度系数的正负号相反。

3.根据权利要求1所述的声波滤波器，其中，

所述串联共振器和所述并联共振器中的所述另一方在所述共振区域中、在与所述下电极或所述上电极的与所述压电膜相反的面的设于所述串联共振器和所述并联共振器中的所述一方的温度补偿膜同侧的面上具有温度补偿膜，所述补偿膜具有的温度系数的弹性常数的正负号与所述压电膜的弹性常数的温度系数的正负号相反；并且

所述串联共振器和所述并联共振器中的所述一方的所述温度补偿膜的厚度大于所述串联共振器和所述并联共振器中的所述另一方的所述温度补偿膜的厚度。

4.根据权利要求1至3中任意一项所述的声波滤波器，其中：

所述附加膜由设置在所述下电极与所述压电膜之间或所述上电极与所述压电膜之间的压电材料制成；并且

所述串联共振器和所述并联共振器中的所述另一方的位于所述共振区域中的压电材料的厚度大于所述串联共振器和所述并联共振器中的所述一方的位于所述共振区域中的压电材料的厚度。

5.根据权利要求1至3中任意一项所述的声波滤波器，其中：

所述附加膜由接触所述下电极或所述上电极的金属制成；并且

在所述串联共振器和所述并联共振器中的所述另一方的所述共振区域中、在所述压电膜上或所述压电膜下与所述附加膜的相同侧上由金属制成的膜的总厚度，大于在所述串联共振器和所述并联共振器中的所述一方的所述共振区域中、在所述压电膜上或所述压电膜下与所述串联共振器和所述并联共振器中的所述另一方的所述附加膜的相同侧上由金属制成的所述膜的总厚度。

6.根据权利要求1至3中任意一项所述的声波滤波器，其中：

所述温度补偿膜设置在所述下电极的与所述压电膜相反的面上；

所述附加膜设置成相对于所述压电膜而位于所述下电极侧；并且

所述压电膜从所述下电极上延伸到所述基板上，以便覆盖所述下电极的端面。

7.根据权利要求1至3中任意一项所述的声波滤波器，其中，所述串联共振器和所述并联共振器中的所述一方不具有所述附加膜。

8.根据权利要求1至3中任意一项所述的声波滤波器，该声波滤波器还包括高声阻抗膜，该高声阻抗膜具有的声阻抗大于在所述温度补偿膜的与所述压电膜相反的面上的所述温度补偿膜的声阻抗。

9.根据权利要求1至3中任意一项所述的声波滤波器，其中，从所述共振区域延伸的所述下电极或所述上电极的引出部的至少一部分不具有所述温度补偿膜。

10.根据权利要求1至3中任意一项所述的声波滤波器，其中，所述温度补偿膜具有二氧化硅或氮化硅，作为主要成分。

11.根据权利要求10所述的声波滤波器，其中，所述温度补偿膜由掺杂有氟的二氧化硅制成。

12.根据权利要求1至3中任意一项所述的声波滤波器，其中，所述压电膜具有氮化铝作为主要成分。

13.根据权利要求1至3中任意一项所述的声波滤波器，其中，在所述共振区域中在所述基板与所述下电极之间形成有空腔。