[发明专利]反应腔室有效
申请号: | 201410655635.5 | 申请日: | 2014-11-18 |
公开(公告)号: | CN105590880B | 公开(公告)日: | 2019-01-18 |
发明(设计)人: | 聂淼 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;张天舒 |
地址: | 100176 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 反应 | ||
1.一种反应腔室,其包括腔室侧壁和设置在所述腔室侧壁顶部的气体分配板,其特征在于,所述腔室侧壁的上表面与所述气体分配板的下表面相互间隔,且在二者之间设置有密封圈,所述密封圈采用线接触的方式分别与所述腔室侧壁的上表面和所述气体分配板的下表面相接触,用以对二者之间的间隙进行密封;并且,所述密封圈在其径向横截面上的投影形状为“C”形。
2.根据权利要求1所述的反应腔室,其特征在于,所述密封圈采用导电材料制作。
3.根据权利要求1所述的反应腔室,其特征在于,在所述腔室侧壁的上表面和/或所述气体分配板的下表面上设置有定位凸部,用以限定所述密封圈的位置。
4.根据权利要求1所述的反应腔室,其特征在于,在所述腔室侧壁内分别设置有腔室加热器和腔室冷却通道,其中,
所述腔室加热器用于加热所述腔室侧壁;
通过向所述腔室冷却通道内通入冷却介质冷却所述腔室侧壁。
5.根据权利要求4所述的反应腔室,其特征在于,所述腔室冷却通道沿所述腔室侧壁的轴向呈螺旋状缠绕。
6.根据权利要求4所述的反应腔室,其特征在于,在所述腔室侧壁上还设置有热电偶,用以检测所述腔室侧壁的温度。
7.根据权利要求1所述的反应腔室,其特征在于,在所述气体分配板的外围环绕设置有环形加热器,用于加热所述气体分配板;并且,
在所述气体分配板内还设置有环形冷却通道,用于冷却所述气体分配板。
8.根据权利要求1所述的反应腔室,其特征在于,所述反应腔室还包括介质窗,所述介质窗设置在所述气体分配板的顶部;在所述介质窗的上部设置有电感耦合线圈,所述电感耦合线圈用于在所述反应腔室内产生等离子体,
在所述介质窗内设置有介质窗加热器,用于加热所述介质窗。
9.根据权利要求1所述的反应腔室,其特征在于,所述反应腔室还包括进气装置,
所述进气装置包括中央进气喷嘴,用于自所述气体分配板的中心位置处向所述反应腔室内输送工艺气体;或者,
所述进气装置包括中央进气喷嘴和至少一个边缘进气喷嘴,其中,所述中央进气喷嘴用于自所述气体分配板的中心位置处向所述反应腔室内输送工艺气体;所述至少一个边缘进气喷嘴用于自所述气体分配板的侧面或者所述腔室侧壁向所述反应腔室内输送工艺气体;或者,
所述进气装置包括至少两个顶部进气喷嘴,用于对应所述气体分配板的不同位置向所述反应腔室内输送工艺气体。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造