[发明专利]通过OPC修改布局设计以降低拐角圆化效应

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，包括：

接收用于半导体器件的第一布局设计，其中，所述第一布局设计包括多条栅极线和与所述栅极线重叠的有源区，并且其中，所述有源区包括至少一个有角拐角，所述有角拐角邻近所述栅极线中的至少一条设置；

通过光学邻近修正OPC工艺修改用于所述半导体器件的第一布局设计，从而产生第二布局设计，所述第二布局设计包括修改的有源区，所述修改的有源区具有向外突出的修改的拐角；以及

基于所述第二布局设计制造所述半导体器件。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述OPC工艺包括向所述有角拐角加入辅助部件。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，

所述第一布局设计中的有源区的有角拐角是凸起的有角拐角；

所述第一布局设计中的有源区还包括凹进的有角拐角；以及

所述OPC工艺还包括减去所述有源区的靠近所述凹进的有角拐角的一部分。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述制造包括图案化所述修改的有源区从而使得所述修改的有源区包括：

对应于所述第一布局设计中的所述凸起的有角拐角的向外突出的圆角；以及

对应于所述第一布局设计中的所述凹进的有角拐角的向内突出的圆角。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，制造所述半导体器件包括图案化所述修改的有源区，其中，所述图案化与拐角圆化效应相关。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，在所述第一布局设计中，所述有角拐角的位置足够接近所述栅极线中的至少一条，从而使得如果所述第一布局设计用于制造所述半导体器件，则所述拐角圆化效应将使所述有源区和所述栅极线中的至少一条之间的重叠区缩小。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述OPC工艺包括向所述有角拐角加入辅助部件，从而使得在基于所述第二布局设计制造所述半导体器件之后，尽管具有所述拐角圆化效应，但是所述修改的有源区和所述栅极线中的至少一条之间的重叠区免于缩小。

8.一种制造半导体器件的方法，包括：

接收用于半导体器件的第一布局设计，其中，所述第一布局设计包括第一掺杂区和具有不同于所述第一掺杂区的导电类型的第二掺杂区，其中，所述第二掺杂区中包括有源区，其中，所述第一掺杂区和所述第二掺杂区限定了包括至少一个有角拐角的N/P边界；

通过光学邻近修正OPC工艺修改用于所述半导体器件的第一布局设计，从而产生具有不含所述有角拐角的N/P边界的第二布局设计；以及

基于所述第二布局设计制造所述半导体器件。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述OPC工艺包括向所述有角拐角加入辅助部件。

10.根据权利要求8所述的方法，其中：

所述第一布局设计中的有角拐角是凸起的有角拐角；

所述第一布局设计中的N/P边界还包括凹进的有角拐角；以及

所述OPC工艺还包括减去所述第二掺杂区的靠近所述凹进的有角拐角的一部分。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，所述制造包括使用离子注入工艺或外延生长工艺形成所述第一掺杂区和所述第二掺杂区，从而使得修改的N/P边界包括：

对应于所述第一布局设计中的所述凸起的有角拐角的向外突出的圆角；以及

对应于所述第一布局设计中的所述凹进的有角拐角的向内突出的圆角。

12.根据权利要求8所述的方法，其中，制造所述半导体器件包括图案化所述第一掺杂区和所述第二掺杂区，其中，所述图案化与拐角圆化效应相关，从而产生具有向外突出的圆角的修改的N/P边界。