[发明专利]一种具有整流的碳化硅JFET栅结构的制备方法有效
| 申请号： | 201410657412.2 | 申请日： | 2014-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN104409335B | 公开（公告）日： | 2017-11-21 |
| 发明（设计）人： | 黄润华;陶永洪;柏松;陈刚 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
| 主分类号： | H01L21/04 | 分类号： | H01L21/04 |
| 代理公司： | 南京君陶专利商标代理有限公司32215 | 代理人： | 沈根水 |
| 地址： | 210016 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 具有 整流 碳化硅 jfet 结构 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种具有整流作用的碳化硅JFET栅结构的制备方法，其特征是包括如下工艺步骤：
1）在第一导电类型衬底上生长第一导电类型层；
2）通过两组注入分别形成具有第二导电类型的栅接触区和栅极区两部分，栅极区和具有第一导电类型的漂移区和沟道区分别形成PN结；
3）通过欧姆退火实现源电极与沟道区和漏电极与第一导电类型衬底之间的欧姆接触；
4）通过整流栅极接触退火在栅电极和第二导电类型的栅接触区之间形成整流栅接触；
所述整流栅的开启电压控制在2V-20V；
所述第一导电类型是n型，并且其中第二导电类型是p型；
所述的栅接触区表面具有1×1016至1×1018/cm3个原子的掺杂浓度；
所述的栅结构形成栅电极和第二导电类型的栅接触区整流栅极接触退火温度在600℃至900℃。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
