[发明专利]一种溶液法加工的倒置结构CdTe纳米晶异质结高效太阳电池及其制备方法在审
申请号: | 201410657646.7 | 申请日: | 2014-11-18 |
公开(公告)号: | CN104505423A | 公开(公告)日: | 2015-04-08 |
发明(设计)人: | 覃东欢;卢宽宽;刘涵;谢雅;吴荣方 | 申请(专利权)人: | 华南理工大学 |
主分类号: | H01L31/109 | 分类号: | H01L31/109;H01L31/0296;H01L31/18;H01L31/0224 |
代理公司: | 广州粤高专利商标代理有限公司44102 | 代理人: | 何淑珍 |
地址: | 510640广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 溶液 加工 倒置 结构 cdte 纳米 晶异质结 高效 太阳电池 及其 制备 方法 | ||
1.一种溶液法加工的倒置结构CdTe纳米晶异质结高效太阳电池,其特征在于,所述太阳电池由下到上依次由玻璃衬底、阴极、阴极界面层、n型层、光活性层和阳极叠层而成;所述的光活性层厚度为100~700 nm,由一层或多层CdTe纳米晶层组成;所述的n型层为CdSe薄膜。
2.根据权利要求1所述的倒置结构CdTe纳米晶异质结高效太阳电池,其特征在于:所述的阴极界面层指ZnO薄膜,厚度为20~100 nm。
3.根据权利要求1所述的倒置结构CdTe纳米晶异质结高效太阳电池,其特征在于:所述阴极指氧化铟锡导电膜,厚度为80~200 nm;所述的n型层厚度为40~150 nm;所述的阳极为Au,其厚度为80~200nm。
4.根据权利要求1所述的倒置结构CdTe纳米晶异质结高效太阳电池,其特征在于:所述的光活性层由以下方法制备得到:将CdTe纳米晶溶于有机溶剂,得到纳米晶分散液,将所述纳米晶分散液旋涂、刷涂、喷涂、浸涂、辊涂、丝网印刷、印刷或喷墨打印方式沉积在n型层上,得到CdTe纳米晶层,形成光活性层;所述的有机溶剂指极性有机溶剂,包括正丙醇、吡啶、苯甲醇或体积分数为1:1的吡啶/正丙醇混合溶液;所述纳米晶分散液的浓度为0.01~1 g/mL。
5.根据权利要求4所述的倒置结构CdTe纳米晶异质结高效太阳电池,其特征在于:所述的CdTe纳米晶采用层层烧结处理法,即每次沉积成膜后,都需要对膜进行化学处理以及热处理;所述的化学处理以及热处理为:将所得的膜于加热台上50~300℃加热1~5min去除有机溶剂,浸入CdCl2饱和甲醇溶液1~3s,放在加热台上300~400℃热处理5~60s,浸入甲醇中漂洗1~10s,吹干。
6.根据权利要求1所述的倒置结构CdTe纳米晶异质结高效太阳电池,其特征在于:所述的n型层由以下方法制备得到:将CdSe纳米晶溶于有机溶剂,得到纳米晶分散液,将上述分散液经旋涂、刷涂、喷涂、浸涂、辊涂、丝网印刷、印刷或喷墨打印方式沉积在阴极界面层上,得到CdSe纳米晶层,形成n型层;所述的有机溶剂指极性有机溶剂,包括正丙醇、吡啶、苯甲醇或体积分数为1:1的吡啶/正丙醇混合溶液;所述纳米晶分散液的浓度为0.01~1 g/mL。
7.根据权利要求6所述的倒置结构CdTe纳米晶异质结高效太阳电池,其特征在于:所述的CdSe纳米晶采用层层烧结处理法,即沉积成膜后,对膜进行热处理,所述的热处理为:将膜放在加热台上100~200 ℃加热1~15min,再在加热台上300~400 ℃热处理10~60 s,最后放在加热台上320~370 ℃热处理1~50 min。
8.根据权利要求2所述的倒置结构CdTe纳米晶异质结高效太阳电池,其特征在于:所述阴极界面层通过溶液法加工得到,包含以下具体步骤:将前驱体溶解在有机溶剂中,得到溶胶;将所述溶胶采用旋涂、刷涂、喷涂、浸涂、辊涂、丝网印刷、印刷或喷墨打印方式沉积在阴极上,形成阴极界面层。
9.根据权利要求8所述的倒置结构CdTe纳米晶异质结高效太阳电池,其特征在于:所述溶胶的浓度为0.01~1 g/mL;所述的溶胶的制备步骤为:将醋酸锌和乙醇胺按照锌原子与乙醇胺分子1:1的比例溶解于乙二醇甲醚中,再进行超声分散。
10.制备权利要求1~9任一项所述溶液法加工倒置结构CdTe纳米晶异质结高效太阳电池的方法,其特征在于,包含以下具体步骤:
①将附着有阴极的玻璃衬底清洗,干燥;
②采用溶液法在阴极表面沉积阴极界面层;
③采用溶液法在阴极界面层上沉积n型层;
④采用溶液法在n型层上沉积光活性层;
⑤采用蒸镀法在光活性层上蒸镀阳极;即得高效CdTe/CdSe纳米晶异质结太阳电池。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的