[发明专利]固态成像装置和电子设备有效
申请号: | 201410657961.X | 申请日: | 2014-11-17 |
公开(公告)号: | CN104681572B | 公开(公告)日: | 2019-02-15 |
发明(设计)人: | 广田功 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 梁兴龙;曹正建 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 固态 成像 装置 电子设备 | ||
本发明提供一种可以高速地进行焦点控制的固态成像装置,其包括具有以像素为单位分割的光电转换部并且叠置的两层以上的光电转换层。入射到靠近光学透镜的第一光电转换层的1个像素的光被远离所述光学透镜的第二光电转换层的多个像素的光电转换部接收。
相关申请的交叉参考
本申请要求享有于2013年11月27日提交的日本在先专利申请JP 2013-244952和2014年7月15日提交的日本在先专利申请JP 2014-145101的权益,它们的全部内容以引用的方式并入本文。
技术领域
本公开涉及一种固态成像装置和电子设备。具体地,本公开涉及一种能够高速地进行焦点控制的固态成像装置和电子设备。
背景技术
作为提供给成像装置等的一般自动对焦方法,存在两种方法:对比度法和位相差法。在对比度法中,通过在移动聚焦透镜位置的同时检测对比度变化,将对比度调节到最大。在位相差法中,通过使用不同于图像传感器的位相差传感器,根据基于三角测量法的距离测量结果一次设定聚焦透镜的位置。
在对比度法中,基于图像自身进行检测,因此可以精确地调节焦点。然而,焦点方向是不确定的,除非多个图像被捕获,因此需要花费时间来进行会聚。相反,在位相差法中,聚焦透镜的位置被一次设定,因此高速地进行焦点调节。然而,通过在透镜中间的副反射镜,在位相差传感器上形成图像,因此,可能会发生偏差,并且聚焦率可能达不到100%。
因此,近年来,其中位相差像素被设置在图像传感器的一部分上的像面位相差传感器等已被开发(例如,参照日本未审查专利申请公开No.2001-250931和2000-292685)。
然而,在像面位相差传感器中,空间采样频率低,因而在焦点位置附近不能确保精度。因此,结果,传感器用作混杂型的,其中在焦点位置附近组合使用对比度法,因此其聚焦速度不足够高。
发明内容
根据本公开,希望高速地进行焦点控制。
根据本公开的第一实施方案,提供了一种固态成像装置,包括具有以像素为单位分割的光电转换部并且叠置的两层以上的光电转换层,其中入射到靠近光学透镜的第一光电转换层的1个像素的光被远离所述光学透镜的第二光电转换层的多个像素的光电转换部接收。
根据本公开的第二实施方案,提供了一种电子设备,包括固态成像装置,所述固态成像装置中叠置有具有以像素为单位分割的光电转换部的两层以上的光电转换层,其中入射到靠近光学透镜的第一光电转换层的1个像素的光被远离所述光学透镜的第二光电转换层的多个像素的光电转换部接收。
本公开的第一和第二实施方案中,叠置有具有以像素为单位分割的光电转换部的两层以上的光电转换层,和入射到靠近光学透镜的第一光电转换层的1个像素的光被远离所述光学透镜的第二光电转换层的多个像素的光电转换部接收。
根据本公开的第三实施方案,提供了一种固态成像装置,包括:其上形成有信号处理电路并且叠置的半导体基板;和具有以像素为单位分割的光电转换部并且叠置的光电转换层,其中所述半导体基板具有对应于所述光电转换层的1个像素并且透过光到所述光电转换层的透过像素,和其中入射到所述半导体基板的透过像素的光被所述光电转换层的多个像素的光电转换部接收,和通过使用由所述光电转换层的多个像素获得的位相差进行焦点控制。
在本公开的第三实施方案中,叠置有其上形成有信号处理电路的半导体基板和具有以像素为单位分割的光电转换部的光电转换层,所述半导体基板具有对应于所述光电转换层的1个像素并且透过光到所述光电转换层的透过像素,入射到所述半导体基板的透过像素的光被所述光电转换层的多个像素的光电转换部接收,和通过使用由所述光电转换层的多个像素获得的位相差进行焦点控制。
所述固态成像装置和所述电子设备可以适用于独立的装置,并且可以适用于在不同装置中安装的模块。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的