[发明专利]一种平面光波导器件及其制作方法

权利要求书

1.一种平面光波导器件的制作方法，其特征在于，包括：

在衬底表面形成下包层；

在下包层表面形成锗掺杂的二氧化硅层；

对所述二氧化硅层进行多次退火处理，相邻两次退火中，后一次退火温度高于前一次退火温度；

对所述二氧化硅层进行刻蚀，形成预设结构的波导芯层；

形成覆盖所述波导芯层的保护层。

2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述二氧化硅层的形成方法包括：

在设定流量的硅烷、一氧化二氮以及锗烷构成的反应气体中，以设定的压强以及射频功率，采用PECVD镀膜工艺形成所述二氧化硅层。

3.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述硅烷的流量范围是100sccm-175sccm，包括端点值；所述一氧化二氮的流量范围是2500sccm-3000sccm，包括端点值；所述锗烷的流量范围是30sccm-160sccm，包括端点值；所述压强范围是2.1Torr-2.4Torr，包括端点值；所述射频功率是500W-700W，包括端点值。

4.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述波导芯层相对于所述下包层的折射率差是1.5％；

其中，所述折射率差为所述波导芯层的折射率减去所述下包层的折射率所得的折射率差值除以所述下包层的折射率。

5.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，对所述二氧化硅层进行两次退火处理；

其中，第一次退火处理的退火时间为4h-6h，包括端点值；第一次退火处理的退火温度大于或等于1000℃，且小于1050℃；第二次退火处理的退火时间为4h-6h，包括端点值；第二次退火处理的退火温度为1050-1100℃，包括端点值。

6.一种平面光波导器件，其特征在于，所述平面光波导器件采用如权利要求1-5任一项所述的制作方法制备，所述平面光波导器件的波导芯层的折射率均匀性小于或等于0.02％。

7.根据权利要求6所述的平面光波导器件，其特征在于，所述波导芯层相对于所述下包层的折射率差是1.5％；

其中，所述折射率差为所述波导芯层的折射率减去所述平面光波导器件的下包层的折射率所得的折射率差值除以所述下包层的折射率。

8.根据权利要求7所述的平面光波导器件，其特征在于，所述平面光波导器件的传输损耗小于0.05dB/cm。