[发明专利]一种正八面体氧化亚铜复合二氧化钛纳米管阵列的制备方法在审

专利信息
申请号: 201410658425.1 申请日: 2014-11-18
公开(公告)号: CN105586626A 公开(公告)日: 2016-05-18
发明(设计)人: 雅菁;胡凤娇 申请(专利权)人: 天津城建大学
主分类号: C25D11/26 分类号: C25D11/26;C25D9/08;B82Y40/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 300384*** 国省代码: 天津;12
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摘要:
搜索关键词: 一种 正八面体 氧化亚铜 复合 氧化 纳米 阵列 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种正八面体氧化亚铜复合二氧化钛纳米管阵列的制备方法,其特征在于,制备步骤如下:

(1)将基底材料表面进行清洁预处理;

(2)配制TiO2纳米管阵列膜

选取0.1~5wt%HF和0.1~5wt%H2O的乙二醇溶液为TiO2纳米管阵列膜的电解液,铂片为对电 极,对基底材料进行电化学阳极氧化,即在基底材料表面构筑一层排列有序、尺寸可控的TiO2纳米管阵列膜,再将膜层进行热处理;

(3)配置工作电解液

配制铜盐浓度为0.001~1mol/L的乳酸基础溶液A,将4~6mol/L的NaOH溶液以2ml/min的 速度滴加入在所述溶液A中并不断搅拌,调节其pH到8~12后,将其在水浴下加热备用;

(4)将步骤(2)中得到的TiO2纳米管阵列膜做工作电极,铂片做对电极,饱和的甘汞电极 (SCE)电极做参比电极组成三电极体系,步骤(3)配制的溶液为工作电解液。采用恒电压 法进行电沉积,整个过程都伴随着水浴加热;

(5)将步骤(4)得到的复合膜层在50~200℃真空热处理1~3h,即得到正八面体氧化亚铜复 合的TiO2纳米管阵列。

2.如权利要求1所述的一种正八面体氧化亚铜复合二氧化钛纳米管阵列的制备方法,其特征 在于步骤(1)中所述基底材料为纯度为99.999%的钛片。

3.如权利要求1所述的一种正八面体氧化亚铜复合二氧化钛纳米管阵列的制备方法,其特征 在于步骤(1)中所述清洁处理时采用丙酮、无水乙醇和水对基底材料表面进行超声清洗。

4.如权利要求1所述的一种八面体氧化亚铜复合二氧化钛纳米管阵列的制备方法,其特征在 于步骤(2)中所述对基底材料进行电化学阳极氧化电压为40~60V,时间为4~8h。

5.如权利要求1所述的一种八面体氧化亚铜复合二氧化钛纳米管阵列的制备方法,其特征在 于步骤(2)中所述热处理的温度为400~500℃,热处理的时间为1~4h。

6.如权利要求1所述的一种八面体氧化亚铜复合二氧化钛纳米管阵列的制备方法,其特征在 于步骤(2)中所述对电极为金属铂。

7.如权利要求1所述的一种八面体氧化亚铜复合二氧化钛纳米管阵列的制备方法,其特征在 于步骤(3)中所述铜盐为硫酸铜。

8.如权利要求1所述的一种八面体氧化亚铜复合二氧化钛纳米管阵列的制备方法,其特征在 于步骤(3)中所述水浴的温度为30~60℃。

9.如权利要求1所述的一种八面体氧化亚铜复合二氧化钛纳米管阵列的制备方法,其特征在 于步骤(4)中所述沉积电压为-0.8~0.2V。

10.如权利要求1所述的一种八面体氧化亚铜复合二氧化钛纳米管阵列的制备方法,其特征 在于步骤(4)中所述等待时间为30s~600s。

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