[发明专利]低温漂CMOS振荡器电路有效
申请号: | 201410658573.3 | 申请日: | 2014-11-18 |
公开(公告)号: | CN104320085A | 公开(公告)日: | 2015-01-28 |
发明(设计)人: | 刘小淮;陈远金;张谨;张紫乾;白涛 | 申请(专利权)人: | 中国兵器工业集团第二一四研究所苏州研发中心 |
主分类号: | H03B5/04 | 分类号: | H03B5/04 |
代理公司: | 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 | 代理人: | 董建林;耿英 |
地址: | 215163 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 低温 cmos 振荡器 电路 | ||
1. 一种低温漂CMOS振荡器电路,其特征是,第一电阻、第二电阻、第三电阻依次串联后,第三电阻的末端接地,第一电阻的始端接电源VDD;第一电阻、第二电阻的共连点A连接至运算放大器的正向输入端,运算放大器的反向输入端经第四电阻连接至比较器的正向输入端,运算放大器的输出端经第一开关连接至比较器的反向输入端;第二电阻、第三电阻的共连点经第二开关连接至比较器的反向输入端;
比较器的正向输入端经第六电阻与NMOS管的漏极连接,同时还经第五电阻与PMOS管的漏极连接;NMOS管的源极接地,栅极接至第二反相器的输出端;PMOS管的源极连接至电源,栅极连接至第二反相器的输出端;比较器的输出端经一触发电路正反馈输出振荡时钟CLK。
2.根据权利要求1所述低温漂CMOS振荡器电路,其特征是,所述第一运算放大器的输出端C经第一电容反馈连接至第一运算放大器的反向输入端。
3.根据权利要求1所述低温漂CMOS振荡器电路,其特征是,所述比较器的正向输入端与同时经第二电容接地。
4.根据权利要求1所述低温漂CMOS振荡器电路,其特征是,所述触发电路由第一反相器、第二反相器、第一或非门和第二或非门构成;第一反相器的输入端、第一或非门的第一输入端共连到比较器的输出端,第一反相器的输出端连接至第二或非门的第二输入端,第二或非门的输出端连接至第二或非门的第二输入端,第一或非门的输出端连接至第二或非门的第一输入端;第一或非门的输出端同时连接至第二反相器的输入端,第二反相器的输出端输出振荡时钟CLK。
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