[发明专利]一种用于制备组件晶硅太阳能电池PECVD镀膜工艺

权利要求书

1.一种用于制备组件晶硅太阳能电池PECVD镀膜工艺，其特征是，在硅片表面沉积一种由内到外的氮化硅——二氧化硅——氮化硅叠层减反射膜的PECVD工艺，具体操作工艺如下：

(1)将完成制绒、扩散、刻蚀清洗几道工序的硅片送入管式PECVD炉管中，在400-500℃的温度下，先后完成抽真空、NH₃清洗、N₂气吹扫、抽真空工艺步骤；

(2)随后通入SiH₄和NH₃制备内层氮化硅膜；

(3)在完成内层氮化硅膜工艺后，抽真空，随后通入SiH₄和N₂O制备二氧化硅膜；

(4)在完成二氧化硅膜工艺后，抽真空，随后通入SiH₄和NH₃制备外层氮化硅膜；

(5)在完成外层氮化硅镀膜工艺后，先后完成抽真空、N₂气吹扫、充N₂恢复常压、出片，至此完成整个氮化硅——二氧化硅——氮化硅叠层膜镀膜工序。

2.根据权利要求1所述的一种用于制备组件晶硅太阳能电池PECVD镀膜工艺，其特征是，在步骤(2)中，制备内层氮化硅膜的具体工艺条件为：通入SiH₄流量控制在1000-2000sccm，NH₃流量控制在4000-8000sccm；炉管内压力设置在1600-1800mTorr，温度设置在400-500℃，射频功率设置在3000-4000W。

3.根据权利要求2所述的一种用于制备组件晶硅太阳能电池PECVD镀膜工艺，其特征是，在步骤(2)中，通入SiH₄和NH₃流量比控制在1∶4-1∶6之间，内层氮化硅膜的折射率在2.05-2.2之间；内层氮化硅膜镀膜工艺时间控制在10-100s，内层氮化硅膜的厚度在5-20nm。

4.根据权利要求1所述的一种用于制备组件晶硅太阳能电池PECVD镀膜工艺，其特征是，在步骤(3)中，制备二氧化硅膜的具体工艺条件为：通入SiH₄流量控制在1000-2000sccm，N₂O流量控制在2000-5000sccm；炉管内压力设置在1600-1800mTorr，温度设置在400-500℃，射频功率设置在3000-4000W。

5.根据权利要求4所述的一种用于制备组件晶硅太阳能电池PECVD镀膜工艺，其特征是，在步骤(3)中，通入SiH₄和N₂O流量比控制在1∶1.5-1∶2.5之间，二氧化硅膜的折射率在1.4-1.8之间；二氧化硅膜镀膜工艺时间控制在10-50s，二氧化硅膜的厚度在3-10nm。

6.根据权利要求1所述的一种用于制备组件晶硅太阳能电池PECVD镀膜工艺，其特征是，在步骤(4)中，制备外层氮化硅膜的具体工艺条件为：通入SiH₄流量控制在400-800sccm，NH₃流量控制在4000-6000sccm；炉管内压力设置在1600-1800mTorr，温度设置在400-500℃，射频功率设置在3000-4000W。

7.根据权利要求6所述的一种用于制备组件晶硅太阳能电池PECVD镀膜工艺，其特征是，在步骤(4)中，通入SiH₄和NH₃流量比控制在1∶8-1∶10之间，外层氮化硅膜的折射率在1.9-2.05之间；外层氮化硅膜镀膜工艺时间控制在200-600s，外层氮化硅膜的厚度在50-80nm。