[发明专利]一种基于基板阵列测试的异物处理系统及其处理方法有效
申请号: | 201410659296.8 | 申请日: | 2014-11-18 |
公开(公告)号: | CN104409395B | 公开(公告)日: | 2018-12-18 |
发明(设计)人: | 刘洋;王丽君 | 申请(专利权)人: | 昆山国显光电有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/02 |
代理公司: | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人: | 彭秀丽 |
地址: | 215300 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光学感应装置 异物 吸附装置 调制器 对基板 控制器 移动支架 检测 感应信号 光学异物 异物判断 基板 滑动配合连接 控制器电性 基板阵列 全面监控 异物处理 位置处 划伤 吸附 测试 | ||
1.一种基于基板阵列测试的异物处理系统,其特征在于,所述系统包括移动支架、控制器和设置于所述移动支架上的调制器、吸附装置,所述吸附装置和调制器分别与所述移动支架滑动配合连接,所述调制器上设有光学感应装置,所述光学感应装置和吸附装置均与所述控制器电性连接;所述光学感应装置用于对基板进行光学异物检测,所述控制器用于接收所述光学感应装置的感应信号;所述控制器中运行有异物判断模块,所述异物判断模块根据所述光学感应装置的感应信号对基板上是否存在异物作出判断;若基板上存在异物,所述控制器启动所述吸附装置对异物进行吸附;所述的光学感应装置包括一光学信号发射端、一光学信号接收端和三个90度全反射镜,其分别设置于所述调制器相邻两侧面的连接处;所述光学信号发射端与所述光学信号接收端呈90°水平设置,且分别对应设置于所述调制器的相邻两侧面上;所述光学信号发射端所发出的光学信号经三个所述全反射镜依次反射后进入所述光学信号接收端,所述光学信号发射端与所述光学信号接收端分别水平设置于所述调制器的两外侧面上。
2.根据权利要求1所述的异物处理系统,其特征在于,所述调制器为具有方形横截面或矩形横截面的倒梯形结构。
3.根据权利要求2所述的异物处理系统,其特征在于,所述吸附装置包括:空气过滤吸附端、真空抽吸端和压缩气体注入端;所述空气过滤吸附端设置于所测基板的上方,所述空气过滤器吸附端分别与所述的真空抽吸端和压缩气体注入端通过管路连接。
4.根据权利要求1所述的异物处理系统,其特征在于,所述调制器的各个外侧面均设有一所述光学感应装置,所述光学感应装置卡置于所述调制器上。
5.根据权利要求1所述的异物处理系统,其特征在于,所述全反射镜设置于所述调制器的外侧面上,且与所述光学信号发射端所发出的光学信号相对应。
6.根据权利要求1-5任一所述的异物处理系统,其特征在于,所述的光学感应装置为激光感应器。
7.一种基于基板阵列测试的异物处理方法,其特征在于,所述方法包括以下步骤:通过安装于调制器上的光学感应装置对基板进行光学扫描,并将感应信号传输至控制器;所述的光学感应装置包括一光学信息发射端、一光学信息号接收端和三个90度全反射镜,其分别设置于所述调制器相邻两侧面的连接处;所述光学信号发射端与所述光学信号接收端呈90°水平设置,且分别对应设置于所述调制器的相邻两侧面上;所述光学信号发射端所发出的光学信号经三个所述全反射镜依次反射后进入所述光学信号接收端;所述光学信号发射端与所述光学信号接收端分别水平设置于所述调制器的两外侧面上;控制器中的异物判断模块根据感应信号对基板上是否存在异物作出判断;若光学感应装置检测到基板上存在异物,控制器控制吸附装置移至异物所在位置,并对异物进行吸附;吸附结束后吸附装置归复原位。
8.根据权利要求7所述的异物处理方法,其特征在于,所述的通过安装于调制器上的光学感应装置对基板进行光学扫描,并将光学信号传输至控制器,其具体方法是:光学感应装置中的光学信号发射端向基板表面发射光学信号,光学信号经基板表面反射后由光学信号接收端接收信号,光学信号接收端将所接收到的光学信号信息传输至控制器。
9.根据权利要求7所述的异物处理方法,其特征在于,所述的控制器中的异物判断模块根据光学信号对基板上是否存在异物作出判断,其具体方法是:光学信号接收端接收到光学信号发射端的光学信号时,异物判断模块判断基板上不存在异物;光学信号接收端未接收到光学信号发射端的光学信号时,异物判断模块判断基板上存在异物。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造