[发明专利]一种侧壁与背部导通的发光二极管及其制作工艺

权利要求书

1.一种侧壁与背部导通的发光二极管，它包括：

   一基板，基板的底面设有反射层;

   发光外延层，生长于基板表面，该发光外延层从下往上至少包含有N型层、发光层和P型层;

   电流扩展层，设置于P型层的表面;

   沟槽区，位于发光外延层的边缘，且在N型层的边缘上方预留有槽位，使N型层的边缘裸露出来;

   P电极，设置于电流扩展层与P型层的表面;

   N电极，设置于N型层的边缘表面，且位于沟槽区的外边缘;

   保护层，覆盖于发光外延层与电流扩展层的上表面，其边缘向下延伸至沟槽区内;

   其特征在于，所述N型层的外侧面边缘设有向下倾斜的斜面，该斜面延伸至N型层的底部形成用于起桥接作用的倒角结构，并在该斜面上设置有导电包覆层，该导电包覆层向下延伸紧贴着基板的侧面且延伸至基板的底面，该导电包覆层向上延伸紧贴着N电极的侧面。

2.根据权利要求1所述一种侧壁与背部导通的发光二极管，其特征在于：所述导电包覆层为单层或者多层膜状结构。

3.   根据权利要求2所述一种侧壁与背部导通的发光二极管，其特征在于：所述导电包覆层由铬、铝、镍、钛、钨、铑、金、银、铜、铂和导电玻璃中的任意一种或者任意多种材料组合构成。

4.  根据权利要求1～3任意一项所述一种侧壁与背部导通的发光二极管，其特征在于：所述N电极设置有一个、两个或者多个，分别对应设置于N型层的一边、两边或者多边的边缘表面，其对应的倒角结构分别设置于N型层的一边、两边或者多边。

5.根据权利要求4所述一种侧壁与背部导通的发光二极管，其特征在于：所述斜面与N型层表面的法线之间形成的夹角大于10度小于75度。

6.  根据权利要求5所述一种侧壁与背部导通的发光二极管，其特征在于：所述斜面的高度大于10微米。

7.根据权利要求5或者6所述一种侧壁与背部导通的发光二极管，其特征在于：所述电流扩展层由氧化铟锡、氧化锌、氧化镉锡、氧化铟、铟掺杂氧化锌、铝掺杂氧化锌和镓掺杂氧化锌中的任意一种或者任意多种材料组合构成。

8.根据权利要求7所述一种侧壁与背部导通的发光二极管，其特征在于：所述基板由蓝宝石材料构成。

9.    根据权利要求1～8任意一项所述一种侧壁与背部导通的发光二极管的制作工艺，其特征在于该制作工艺包括以下步骤：

   A.制作发光外延层，首先在蓝宝石衬底上形成N型层，接着生长出发光层，然后再生长P型层，外延长生结束后，在温度为400℃～520℃和纯氮气的环境中对外延片退火5～20分钟;

   B.制作电流扩展层，通过蒸镀方式在P型层上形成电流扩展层，最后在电流扩展层设置P电极，使P电极的底部紧贴着P型层;

   C.制作沟槽区，蓝宝石衬底需要制作同面电极，故采用干法蚀刻工艺，从电流扩展层表面蚀刻至N型层，使得部分N型层平台裸露出来，形成沟槽区，接着再进行保护层覆盖，并在N型层的边缘表面设置N电极，使N电极的底部紧贴着N型层表面;

   D.制作倒角结构，沿着N型层的外侧面边缘向下制作倾斜的斜面，斜面平整形成位于N型层边缘的倒角结构;

   E.制作导电包覆层，由于需导通于侧壁及背面，先通过一胶体物质将整体晶片的正面黏覆于一载体上，再将导电包覆层镀上，使导电包覆层包覆于整体晶片的侧壁及背面，同时通过倒角结构将N电极与导电包覆层实现桥按。

10. 根据权利要求9所述一种侧壁与背部导通的发光二极管的制作工艺，其特征在于：所述制作倒角结构的工艺为雷射烧结、ICP干蚀刻、钻石刀切割、线锯刀切割、Dicing saw切割与水刀切割中的任意一种工艺或其任意多种工艺的组合。

11.   根据权利要求9所述一种侧壁与背部导通的发光二极管的制作工艺，其特征在于：所述制作导电包覆层的工艺为蒸镀、溅镀或者湿式涂布中的任意一种工艺或其任意多种工艺的组合。