[发明专利]一种高频率变换器无效
申请号: | 201410662585.3 | 申请日: | 2014-11-18 |
公开(公告)号: | CN104410286A | 公开(公告)日: | 2015-03-11 |
发明(设计)人: | 车容俊;高小英 | 申请(专利权)人: | 成都措普科技有限公司 |
主分类号: | H02M5/458 | 分类号: | H02M5/458 |
代理公司: | 深圳市合道英联专利事务所(普通合伙) 44309 | 代理人: | 廉红果;陆庆红 |
地址: | 610000 四*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 频率 变换器 | ||
1.一种高频率变换器,其特征在于:由变压器T1,变压器T2,与变压器T1副边相连接的混频电路,与混频电路相连接的第一转换电路,同时与混频电路和第一转换电路相连接的处理电路,与处理电路相输出端相连接的第二转换电路组成;所述变压器T2的原边与第二转换电路相连接。
2.根据权利要求1所述的一种高频率变换器,其特征在于:所述的混频电路由双栅极场效应管Q,晶体振荡器X,电阻R1,电阻R3,以及电感L1组成;电阻R1的一端与双栅极场效应管Q的a栅极相连接、另一端接地,晶体振荡器X的一端与场效应管Q的a栅极相连接、另一端与场效应管Q的漏极相连接,电感L1的一端与场效应管Q的漏极相连接、另一端经电阻R3后回到场效应管Q的漏极;电阻R3和电感L1的连接点同时与处理电路和第一转换电路相连接,场效应管Q的b栅极与变压器T1副边非同名端相连接、漏极与处理电路相连接、源极与第一转换电路相连接。
3.根据权利要求2所述的一种高频率变换器,其特征在于:所述的第一转换电路由三极管VT2,一端与三极管VT2的发射极相连接、另一端与双栅极场效应管Q的源极相连接的电阻R2,与电阻R2相并联的电容C1,负极与电阻R3和电感L1的连接点相连接、正极与三极管VT2的集电极相连接的电容C1组成;所述三极管VT2的基极与变压器T1原边的非同名端相连接,其发射极与处理电路相连接。
4.根据权利要求3所述的一种高频率变换器,其特征在于:所述处理电路由三极管VT1,三极管VT3,一端与三极管VT3的基极相连接、另一端与三极管VT2的发射极相连接的电阻R4,一端与三极管VT3的发射极相连接、另一端同时与三极管VT2的发射极以及第二转换电路相连接的电阻R5组成;所述三极管VT3的基极与三极管VT1的发射极相连接、其集电极与变压器T2原边的同名端相连接、发射极与第二转换电路相连接,三极管VT1的基极与电阻R3和电感L1的连接点相连接、其集电极同时与场效应管Q的漏极以及第二转换电路相连接。
5.根据权利要求4所述的一种高频率变换器,其特征在于:所述的第二转换电路包括电容C6,电容C5,电容C4,电容C3,电阻R6;电容C6的正极与变压器T2原边同名端相连接、其负极与三极管VT1的集电极相连接,电容C5的正极和负极分别与变压器T2原边的同名端和非同名端相连接,电容C4的正极与三极管VT3的发射极相连接、负极与变压器T2原边的非同名端相连接,电容C3的正极与三极管VT2的发射极相连接、其负极则经电阻R6后与电容C4的负极相连接;电容C3的负极还与外部电压相连接。
6.根据权利要求5所述的一种高频率变换器,其特征在于:所述的变压器T1原边同名端与非同名端连接的同时作为信号的输入端、其副边同名端接地,变压器T2副边的同名端接地、非同名端作为信号输出端。
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