[发明专利]有机发光显示器的像素电路及驱动方法、有机发光显示器有效

专利信息
申请号: 201410664358.4 申请日: 2014-11-19
公开(公告)号: CN104318902A 公开(公告)日: 2015-01-28
发明(设计)人: 吴桐;钱栋 申请(专利权)人: 上海天马有机发光显示技术有限公司;天马微电子股份有限公司
主分类号: G09G3/32 分类号: G09G3/32
代理公司: 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 代理人: 刘松
地址: 201201 上海市浦*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 有机 发光 显示器 像素 电路 驱动 方法
【权利要求书】:

1.一种有机发光显示器的像素电路,其特征在于,该像素电路包括:

第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管、第五薄膜晶体管、第一电容和发光二极管;

第一薄膜晶体管的栅极与第三薄膜晶体管的第一电极连接,所述第一薄膜晶体管的第一电极与第五薄膜晶体管的第二电极连接,所述第一薄膜晶体管的第二电极与第二薄膜晶体管的第一电极连接;

所述第二薄膜晶体管的栅极与发光控制信号线连接,所述第二薄膜晶体管的第二电极与所述发光二极管的阴极相连,所述发光二极管的阳极连接第一电源;

所述第三薄膜晶体管的栅极与第一信号线连接,所述第三薄膜晶体管的第二电极与所述第二薄膜晶体管的第一电极连接;

所述第四薄膜晶体管的栅极与所述第一信号线连接,所述第四薄膜晶体管的第一电极与所述第一薄膜晶体管的第一电极以及所述第五薄膜晶体管的第二电极连接,所述第四薄膜晶体管的第二电极与数据线连接;

所述第五薄膜晶体管的栅极与所述发光控制信号线连接,所述第五薄膜晶体管的第一电极与第二电源连接;

所述第一电容连接在所述发光二极管的阳极和所述第一薄膜晶体管的栅极之间。

2.如权利要求1所述的像素电路,其特征在于,还包括第二电容,所述第二电容连接在所述发光二极管的阳极和所述第一薄膜晶体管的第二电极之间。

3.如权利要求1述的像素电路,其特征在于,还包括第一扫描线和第六薄膜晶体管,所述第六薄膜晶体管的栅极、第二电极均与第一扫描线连接、所述第六薄膜晶体管的第一电极与所述第一薄膜晶体管的第二电极连接。

4.如权利要求1所述的像素电路,其特征在于,所述第一电源提供的电压高于所述第二电源提供的电压。

5.如权利要求1-4任一项所述的像素电路,其特征在于,所述第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管、第五薄膜晶体管和第六薄膜晶体管均为N型薄膜晶体管,所述第一信号线为第二扫描信号线,所述第一电极为源极,所述第二电极为漏极。

6.如权利要求1-4任一项所述的像素电路,其特征在于,

所述第三薄膜晶体管和所述第四薄膜晶体管为P型薄膜晶体管,所述第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第五薄膜晶体管和第六薄膜晶体管均为N型薄膜晶体管,所述第一信号线为所述发光控制信号线,所述P型薄膜晶体管的第一电极为漏极、第二电极为源极,所述N型薄膜晶体管的第一电极为源极、第二电极为漏极。

7.一种像素电路驱动方法,应用于如权利要求5所述的像素电路,其特征在于,包括:

在数据写入阶段,在所述第二扫描线上施加高电平,所述第三薄膜晶体管、所述第四薄膜晶体管以及所述第一薄膜晶体管导通;在所述发光控制信号线上施加低电平,所述第二薄膜晶体管、所述第五薄膜晶体管截止;在所述数据线上施加高电平,所述第一薄膜晶体管的第一电极的电压为第一电压;所述第一薄膜晶体管的导通致使所述第一电容开始存储电荷,直至所述第一薄膜晶体管的栅极电压下降至第二电压时,所述第一薄膜晶体管截止,所述第一薄膜晶体管截止后所述第一薄膜晶体管的栅极电压保持为所述第二电压;

在发光阶段,在所述第二扫描线上施加低电平,所述第三薄膜晶体管、所述第四薄膜晶体管截止;在所述发光控制信号线上施加高电平,所述第二薄膜晶体管、所述第五薄膜晶体管导通,所述第五薄膜晶体管的导通致使所述第一薄膜晶体管的第一电极电压为第二电源电压,而所述第一薄膜晶体管的栅极电压为所述第二电压,所述第一薄膜晶体管的栅源电压致使所述第一薄膜晶体管导通,所述第一薄膜晶体管的导通所产生的驱动电流致使所述发光二极管发光。

8.如权利要求7所述的驱动方法,其特征在于,所述像素电路中包括第二电容时,在数据写入阶段,还包括:

所述第一薄膜晶体管的导通致使所述第二电容开始充电,所述第二电容在充电完成后放电。

9.如权利要求7或8所述的驱动方法,其特征在于,在所述像素电路中还包括第六薄膜晶体管和第一扫描线时,在数据写入阶段之前还包括初始化阶段;

在初始化阶段,在所述第一扫描线上施加高电平,致使所述第六薄膜晶体管作为二极管导通、所述第一薄膜晶体管的第二电极的电压置位为第三电压。

10.如权利要求9所述的驱动方法,其特征在于,所述第二电压为所述第一电压与所述第一薄膜晶体管的阈值电压之和。

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