[发明专利]鳍式场效应晶体管、鳍及其制造方法在审
| 申请号： | 201410665088.9 | 申请日： | 2014-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN105679672A | 公开（公告）日： | 2016-06-15 |
| 发明（设计）人： | 唐兆云;徐烨锋;唐波;王红丽;许静;李春龙;杨萌萌;闫江 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京维澳专利代理有限公司 11252 | 代理人： | 党丽;吴兰柱 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 及其 制造 方法 | ||
1.一种鳍式场效应晶体管的鳍的制造方法，其特征在于，包括步骤：
提供衬底；
在所述衬底上形成鳍堆叠，鳍堆叠包括依次层叠的衬底部分、第一半 导体层和第二半导体层，鳍堆叠的衬底部分之间形成有隔离；
在鳍堆叠上形成栅极及其侧墙，并覆盖层间介质层；
去除栅极，暴露鳍堆叠的表面，以形成开口；
从开口进行刻蚀，至少去除栅极下的第一半导体层，以形成间隔层；
在间隔层中填充介质材料，以形成埋层。
2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，形成鳍堆叠的步骤 包括：
依次外延生长第一半导体层和第二半导体层；
图案化第一半导体层、第二半导体层和衬底，以形成鳍堆叠。
3.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述衬底为硅衬底， 所述第一半导体层为GexSi1-x，其中0<x<1，所述第二半导体层为硅。
4.根据权利要求3所述的制造方法，其特征在于，形成间隔层的步骤 包括：采用HF、H2O2、CH3COOH和H2O的刻蚀剂进行腐蚀，至少去除栅 极下的第一半导体层。
5.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，形成埋层的步骤包 括：淀积高k介质材料，以在间隔层中形成埋层，以及在鳍堆叠的表面上 形成栅介质层。
6.一种鳍式场效应晶体管的制造方法，其特征在于，包括：
权利要求1-5中任一项的制造方法；以及
在开口中重新形成栅极。
7.一种鳍式场效应晶体管的鳍，其特征在于，包括：
衬底；
衬底上的鳍堆叠，鳍堆叠包括依次层叠的衬底部分、第一半导体层和 第二半导体层，其中，第一半导体层中间隔有埋层，该埋层位于栅极区域 下；
隔离，位于栅堆叠的衬底部分之间。
8.根据权利要求7所述的鳍式场效应晶体管的鳍，其特征在于，所述 埋层为高k介质材料。
9.一种鳍式场效应晶体管，其特征在于，包括权利要求7或8所述的 鳍式场效应晶体管的鳍。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
