[发明专利]一种在疏水绝缘层表面涂布光刻胶的方法有效
| 申请号： | 201410665467.8 | 申请日： | 2014-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN104409332B | 公开（公告）日： | 2017-10-10 |
| 发明（设计）人： | 水玲玲;韦必明;张茂榕;金名亮;周国富 | 申请（专利权）人： | 华南师范大学;深圳市国华光电科技有限公司;深圳市国华光电研究院 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司44205 | 代理人： | 唐致明 |
| 地址： | 510631 广东省广州市大学城*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 疏水 绝缘 表面 光刻 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种在疏水绝缘层表面涂布光刻胶的方法，包括以下步骤：
在清洗好的基材上设置疏水绝缘层，所述疏水绝缘层的接触角为90-150°；
在疏水绝缘层表面采用线棒涂布法直接涂布粘度为104-105 cSt光刻胶溶液，得到具有光刻胶涂层的样片；
对样片进行前烘；所述前烘是将样片置于真空度≤0.5 bar的环境中，从室温逐步升温至70-100 ℃，升温速度为1-10 ℃/min，然后保温5-10 min，进行烘烤。
2.根据权利要求1所述的在疏水绝缘层表面涂布光刻胶的方法，其特征在于：所述的基材为硅片、ITO玻璃、TFT玻璃或PET片。
3.根据权利要求1所述的在疏水绝缘层表面涂布光刻胶的方法，其特征在于：通过旋涂/印刷涂布和烘烤工艺设置疏水绝缘层。
4.根据权利要求1所述的在疏水绝缘层表面涂布光刻胶的方法，其特征在于：所述疏水绝缘层的接触角为115°。
5.根据权利要求1所述的在疏水绝缘层表面涂布光刻胶的方法，其特征在于：所述线棒涂布的涂布速度为1-5 cm/s。
6.根据权利要求1所述的在疏水绝缘层表面涂布光刻胶的方法，其特征在于：所述光刻胶涂层的厚度为5-50 μm。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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