[发明专利]一种晶体管小信号等效电路模型

权利要求书

1.一种晶体管小信号等效电路模型，包括各个电极处的电极寄生部分，其特征在于，所述各个电极寄生部分均包括阶梯电感电阻结构；该阶梯电感电阻结构包括相互串联的寄生电感和寄生电阻，高阶寄生电阻和高阶寄生电感相互串联后，再与寄生电阻并联；

所述晶体管小信号等效模型包括在源极内节点(S`)外连接着源极外节点(S)，在漏极内节点(D`)外连接着漏极外节点(D)，在栅极内节点(G`)外连接着栅极外节点(G)；

所述寄生部分包括位于源极内节点(S`)和源极外节点(S)之间的源极寄生单元(130)，位于栅极内节点(G`)和栅极外节点(G)之间的栅极寄生单元(110)，位于漏极内节点(D`)和漏极外节点(D)之间的漏极寄生单元(120)；源极内节点(S`)和栅极内节点(G`)之间还连接着栅源极间寄生单元(140)，源极内节点(S`)和漏极内节点(D`)之间还连接着源漏极间寄生单元(160)，栅极内节点(G`)和漏极内节点(D`)之间还连接着栅漏极间寄生单元(150)；

所述栅极寄生单元(110)包括相互串联的栅极寄生电感(111)和栅极寄生电阻(112)；栅极高阶寄生电阻(114)和栅极高阶寄生电感(115)相互串联后，再与栅极寄生电阻(112)并联；栅极对地寄生电容(113)连接在栅极外节点(G)和源极外节点(S)之间；

漏极寄生单元(120)包括相互串联的漏极寄生电感(121)和漏极寄生电阻(122)；漏极高阶寄生电阻(124)和漏极高阶寄生电感(125)相互串联后，再与漏极寄生电阻(122)并联；漏极对地寄生电容(123)连接在漏极外节点(D)和源极外节点(S)之间；

源极寄生单元(130)包括相互串联的源极寄生电感(131)和源极寄生电阻(132)；源极高阶寄生电阻(133)和源极高阶寄生电感(134)相互串联后，再与源极寄生电阻(132)并联。

2.根据权利要求1所述的晶体管小信号等效电路模型，其特征在于，所述栅源极间寄生单元(140)包括栅源极间寄生电容(141)；栅漏极间寄生单元(150)包括栅漏极间寄生电容(151)；漏源极间寄生单元(160)包括漏源极间寄生电容(161)。

3.一种晶体管小信号等效电路模型，其特征在于，包括各个电极处的电极寄生部分，所述各个电极寄生部分均包括阶梯电感电阻结构；该阶梯电感电阻结构包括相互串联的寄生电感和寄生电阻，高阶寄生电阻和高阶寄生电感相互串联后，再与寄生电阻并联；

还包括依次串联的基极寄生节点(B)、基极外部电阻节点(B`)、基极结外节点(B``)和基极结内节点(B```)；依次串联的发射极寄生节点(E)、发射极外部电阻节点(E`)、发射极结节点(E``)；依次串联的集电极寄生节点(C)、集电极外部电阻节点(C`)、集电极结节点(C``)；

寄生部分(300)包括连接在基极寄生节点(B)与基极外部电阻节点(B`)之间的基极寄生单元(310)；连接在发射极寄生节点(E)与发射极外部电阻节点(E`)之间的发射极寄生单元(330)；连接在集电极寄生节点(C)与集电极外部电阻节点(C`)之间的集电极寄生单元(320)；连接在基极外部电阻节点(B`)与发射极外部电阻节点(E`)之间的基极发射极极间寄生单元(340)；连接在集电极外部电阻节点(C`)与发射极外部电阻节点(E`)之间的发射极集电极极间寄生单元(360)；连接在基极外部电阻节点(B`)与集电极外部电阻节点(C`)之间的基极集电极极间寄生单元(350)；

所述基极寄生单元(310)包括相互串联的基极寄生电感(311)和基极寄生电阻(312)；基极高阶寄生电阻(314)和基极高阶寄生电感(315)相互串联后，再与基极寄生电阻(312)并联；基极对地寄生电容(313)连接在基极寄生节点(B)和发射极寄生节点(E)之间；

集电极寄生单元(320)包括相互串联的集电极寄生电感(321)和集电极寄生电阻(322)；集电极高阶寄生电阻(324)和集电极高阶寄生电感(325)相互串联后，再与集电极寄生电阻(322)并联；集电极对地寄生电容(323)连接在集电极寄生节点(C)和发射极寄生节点(E)之间；

发射极寄生单元(330)包括相互串联的发射极寄生电感(331)和发射极寄生电阻(332)；发射极高阶寄生电阻(333)和发射极高阶寄生电感(334)相互串联后，再与发射极寄生电阻(332)并联。

4.根据权利要求3所述的晶体管小信号等效电路模型，其特征在于，所述基极发射极极间寄生单元(340)包括基极发射极极间电容(341)；基极集电极极间寄生单元(350)包括基极集电极极间电容(351)；集电极发射极极间寄生单元(360)包括集电极发射极极间电容(361)；基极发射极极间本征单元(530)包括相互并联的基射结电容(531)和基射结电阻(532)；基极集电极极间本征单元(540)包括相互并联的基集结内电容(541)和基集结电阻(542)；集电极发射极极间本征单元(550)包括受控电流源(551)。