[发明专利]一种LTE频段多天线阵列增益补偿方法在审
申请号: | 201410666447.2 | 申请日: | 2014-11-20 |
公开(公告)号: | CN104393423A | 公开(公告)日: | 2015-03-04 |
发明(设计)人: | 郭继权;田宇兴 | 申请(专利权)人: | 武汉虹信通信技术有限责任公司 |
主分类号: | H01Q21/00 | 分类号: | H01Q21/00;H01Q19/00;H01Q19/10 |
代理公司: | 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 | 代理人: | 赵丽影 |
地址: | 430073 湖北省*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 lte 频段 天线 阵列 增益 补偿 方法 | ||
1.一种LTE频段多天线阵列增益补偿方法,所述LTE频段多天线阵列,支持1710-2690MHz工作频段,包括一个以上反射板,每个反射板上安装一列天线辐射振子,振子通过设于反射板背部的馈电网络实现相互之间的电连接;其特征在于:根据不同天线辐射振子的功率分配比例,在阵列中不同的位置分别引入引相器,以此提高阵列天线的增益。
2.如权利要求1所述的一种LTE频段多天线阵列增益补偿方法,其特征在于:所述多天线阵列的列数为1-4列,每一列的振子数量为5-12个,振子的极化方式为±45°双极化;相邻列之间的间距为λ/2,λ是多天线阵列工作的中心频点对应的电磁波波长;一列中相邻振子的间距为d,取值范围是0<d<λ。
3.如权利要求1所述的一种LTE频段多天线阵列增益补偿方法,其特征在于:任意一列振子的功率分配相同,具体比例为P1:P2:...:Pn/2-1:Pn/2:Pn/2+1:...:Pn-1:Pn,并且,P1<P2<P3<...<Pn/2-1≤Pn/2>Pn/2+1>...>Pn-1>Pn。
4.如权利要求1所述的一种LTE频段多天线阵列增益补偿方法,其特征在于:所述多天线阵列每一列包含1-n个引向器,n为振子数量。
5.如权利要求1-4所述的一种LTE频段多天线阵列增益补偿方法,其特征在于:所述多天线阵列引向器的位置位于天线辐射振子正上方,距离振子h,0.08λ≤h≤0.35λ。
6.如权利要求5所述的一种LTE频段多天线阵列增益补偿方法,其特征在于:所述引向器为十字形或圆环状金属片,其尺寸小于λ/2。
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