[发明专利]部分耗尽绝缘体上硅三极管结构

权利要求书

1.一种部分耗尽绝缘体上硅三极管结构，其特征在于包括：布置在衬底上的埋氧层、布置在埋氧层上的集电极区、布置在集电极区上方的基区、分别布置在基区两侧的超浅沟槽隔离区和基极区域、以及布置在超浅沟槽隔离区的与基区相对的一侧的集电极接触区。 

2.根据权利要求1所述的部分耗尽绝缘体上硅三极管结构，其特征在于，集电极接触区的掺杂浓度大于集电极区的掺杂浓度，集电极区连接集电极接触区，集电极接触区、超浅沟槽隔离区、基区和基极区域处于硅片表面。 

3.根据权利要求1或2所述的部分耗尽绝缘体上硅三极管结构，其特征在于，所述部分耗尽绝缘体上硅三极管结构还包括：布置在硅片表面上的多晶硅发射极。 

4.根据权利要求1或2所述的部分耗尽绝缘体上硅三极管结构，其特征在于，集电极至基极的方向上的超浅沟槽隔离区的第一尺寸、基区的第二尺寸、多晶硅发射极与超浅沟槽隔离区重叠的第三尺寸、多晶硅发射极与基区重叠的第四尺寸被调节来调整部分耗尽绝缘体上硅三极管结构的放大系数。 

5.根据权利要求1或2所述的部分耗尽绝缘体上硅三极管结构，其特征在于，发射极区和集电极区的掺杂类型为P型掺杂，基极为N型掺杂。 

6.根据权利要求1或2所述的部分耗尽绝缘体上硅三极管结构，其特征在于，发射极区和集电极区的掺杂类型为N型掺杂，基极为P型掺杂。 

7.根据权利要求1或2所述的部分耗尽绝缘体上硅三极管结构，其特征在 于，多晶硅发射极的侧壁布置有侧墙。 

8.根据权利要求1或2所述的部分耗尽绝缘体上硅三极管结构，其特征在于，集电极接触区外侧布置有浅沟槽隔离。 

9.根据权利要求1或2所述的部分耗尽绝缘体上硅三极管结构，其特征在于，基极区域外侧布置有浅沟槽隔离。 

10.根据权利要求1或2所述的部分耗尽绝缘体上硅三极管结构，其特征在于，所述衬底为硅衬底。