[发明专利]一种发光二极管芯片及其制造方法

权利要求书

1.一种发光二极管芯片，包括衬底以及依次层叠在衬底上的N型层、多量子阱层和P型层，所述发光二极管芯片还包括从所述P型层刻蚀到所述N型层的凹槽、设于所述凹槽内的所述N型层上的N型焊盘、设于所述P型层上的电流扩展层和P型焊盘，所述P型焊盘嵌设在所述电流扩展层中，所述P型焊盘和所述N型焊盘均包括依次层叠的底层、中间层和顶层，其特征在于，

所述发光二极管芯片还包括：设于所述P型层上的第一环状保护层和设于所述凹槽内的N型层上的第二环状保护层，所述P型焊盘的底层包括设于所述P型层上且位于所述第一环状保护层环内的第一底层、设于所述P型层上且位于所述第一环状保护层环外的第二底层和覆盖在所述第一环状保护层上的第三底层，所述P型焊盘的第一底层的厚度小于或等于所述第一环状保护层的厚度，所述N型焊盘的底层包括设于所述N型层上且位于所述第二环状保护层环内的第一底层、设于所述N型层上且位于所述第二环状保护层环外的第二底层和覆盖在所述第二环状保护层上的第三底层，所述N型焊盘的第一底层的厚度小于或等于所述第二环状保护层的厚度。

2.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述第一环状保护层和所述第二环状保护层为SiO₂层、SiN_x层、SiON_y层、Au层或Pt层，x、y均为正整数。

3.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述第一环状保护层和所述第二环状保护层的外环直径为50-120μm，所述第一环状保护层和所述第二环状保护层的内环直径为30-100μm，所述第一环状保护层和所述第二环状保护层的宽度为1-50μm，所述第一环状保护层和所述第二环状保护层的厚度为1-500nm。

4.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述P型焊盘的直径比所述第一环状保护层的外环直径大1-50μm，所述N型焊盘的直径比所述第二环状保护层的外环直径大1-50μm。

5.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述P型焊盘的第一底层的厚度小于所述第一环状保护层的厚度，所述N型焊盘的第一底层的厚度小于所述第二环状保护层的厚度。

6.一种发光二极管芯片制造方法，包括：

在衬底上生长外延层，所述外延层包括依次层叠在所述衬底上的N型层、多量子阱层和P型层；

刻蚀所述P型层直至露出所述N型层，形成凹槽；

其特征在于，所述方法还包括：

在所述P型层上生长第一环状保护层并在所述凹槽内的所述N型层上生长第二环状保护层；

在所述凹槽内的所述N型层上生长N型焊盘，所述N型焊盘包括依次层叠的底层、中间层和顶层，所述N型焊盘的底层包括设于所述N型层上且位于所述第二环状保护层环内的第一底层、设于所述N型层上且位于所述第二环状保护层环外的第二底层和覆盖在所述第二环状保护层上的第三底层，所述N型焊盘的第一底层的厚度小于或等于所述第二环状保护层的厚度；

在所述P型层上生长电流扩展层和P型焊盘，所述P型焊盘嵌设在所述电流扩展层中，所述P型焊盘包括依次层叠的底层、中间层和顶层，所述P型焊盘的底层包括设于所述P型层上且位于所述第一环状保护层环内的第一底层、设于所述P型层上且位于所述第一环状保护层环外的第二底层和覆盖在所述第一环状保护层上的第三底层，所述P型焊盘的第一底层的厚度小于或等于所述第一环状保护层的厚度。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述在所述P型层上生长第一环状保护层并在所述凹槽内的所述N型层上生长第二环状保护层，包括：

在所述P型层和所述凹槽内的所述N型层上分别沉积一层SiO₂层；

利用光刻掩膜及腐蚀技术处理所述SiO₂层，在所述P型层和所述凹槽内的所述N型层上分别得到所述第一环状保护层和所述第二环状保护层。

8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述第一环状保护层和所述第二环状保护层为SiO₂层、SiN_x层、SiON_y层、Au层或Pt层，x、y均为正整数。