[发明专利]一种化学气相沉积装置及其温控方法

权利要求书

1.一种化学气相沉积装置，其特征在于，包括：

反应腔，用以对放置于所述反应腔内的基片进行处理；

基座，设置于所述反应腔内部，所述基座用于支撑一个或多个待处理的基片；

加热单元，用于加热所述基座与所述基片，所述加热单元具有控制回路；气体喷淋组件，设置于所述反应腔的顶部，所述气体喷淋组件包括第一进气装置和第二进气装置，所述气体喷淋组件与所述基座之间形成反应区；所述气体喷淋组件将反应气体分配至所述反应区内；

盖体，用于封闭所述反应腔，所述盖体包含一冷却装置，所述气体喷淋组件位于所述盖体与所述基座之间；

所述盖体和所述气体喷淋组件之间形成有狭缝；

第一温度测量装置，用于测量所述气体喷淋组件的温度；

温控供气装置，用以将混合载气供应至所述狭缝中，所述混合载气包括第一载气和第二载气，所述温控供气装置根据所述气体喷淋组件的温度，相应调整所述第一载气与所述第二载气的配比；

所述第一载气包括氢气或氦气中的至少一种，所述第二载气包括氮气或氩气中的至少一种；

所述混合载气中第一载气的比例越高，所述第一温度测量装置所测得的温度越低。

2.根据权利要求1所述的化学气相沉积装置，其特征在于，所述温控供气装置根据所述第一温度测量装置测量的气体喷淋组件温度供应所述的混合载气。

3.根据权利要求1所述的化学气相沉积装置，其特征在于，所述反应腔还具有一用于测量所述基片温度的第二温度测量装置。

4.根据权利要求3所述的化学气相沉积装置，其特征在于，所述温控供气装置根据所述第二温度测量装置测量的基片温度供应所述混合载气。

5.根据权利要求3所述的化学气相沉积装置，其特征在于，所述第一温度测量装置温度传感器与第二温度测量装置包括附接的热电偶或使用基于高温测定法的非接触式温度测量工具。

6.根据权利要求1所述的化学气相沉积装置，其特征在于，所述狭缝的宽度小于5mm。

7.根据权利要求1所述的化学气相沉积装置对喷淋组件进行温度控制的方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤一：进行化学沉积反应；

步骤二：测量所述气体喷淋组件温度；

步骤三：测量所述反应腔基片温度；

步骤四：根据测量的所述气体喷淋组件温度和所述基片温度提供第一载气与第二载气的混合载气。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，还包括：提高所述第一载气的配比降低所述气体喷淋组件温度。

9.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，还包括：降低所述第一载气的配比提高所述气体喷淋组件温度。