[发明专利]钨硅靶材的制造方法

权利要求书

1.一种钨硅靶材的制造方法，其特征在于，包括：

提供钨粉和硅粉；

利用混粉工艺将所述钨粉和硅粉混合均匀，以形成混合粉末；

利用冷压工艺对所述混合粉末进行致密化处理，以形成钨硅靶材坯料；

将所述钨硅靶材坯料置于包套内，利用热等静压工艺对所述包套内的钨 硅靶材坯料进行致密化处理；

去除所述包套，得到钨硅靶材。

2.如权利要求1所述的钨硅靶材的制造方法，其特征在于，所述混粉工艺为 干混工艺。

3.如权利要求2所述的钨硅靶材的制造方法，其特征在于，所述干混工艺中 使用硅球作为研磨介质球。

4.如权利要求3所述的钨硅靶材的制造方法，其特征在于，所述混合粉末和 硅球的质量之比为1：1至4：1，所述钨粉和硅粉的混合时间为20h至26h。

5.如权利要求1所述的钨硅靶材的制造方法，其特征在于，所述钨粉的平均 直径为1μm～7μm，所述硅粉的平均直径小于6μm。

6.如权利要求1所述的钨硅靶材的制造方法，其特征在于，所述冷压工艺为 冷等静压工艺。

7.如权利要求6所述的钨硅靶材的制造方法，其特征在于，利用冷等静压工 艺对所述混合粉末进行致密化处理包括：

将所述混合粉末置于冷等静压机的模具内，设置所述冷等静压机的冷等 静压温度为常温、冷等静压压力大于等于150MPa、冷等静压时间为10min至 30min，以使所述混合粉末成型为所述钨硅靶材坯料；

将所述钨硅靶材坯料从模具内取出。

8.如权利要求1所述的钨硅靶材的制造方法，其特征在于，进行所述致密化 处理之前，还包括：

将所述钨硅靶材坯料置于包套内后，封死所述包套，并从所述包套上引 出脱气管，所述脱气管与包套内连通；

将所述脱气管与真空设备相连，开启所述真空设备以对所述包套进行抽 真空；

进行所述抽真空后，封死所述脱气管。

9.如权利要求8所述的钨硅靶材的制造方法，其特征在于，开启所述真空设 备以对所述包套进行抽真空的过程中，所述包套置于加热炉内；

开启所述真空设备以对所述包套进行抽真空包括：

不启动所述加热炉，在常温下对所述包套进行抽真空，直至所述包套内 的真空度达到2×10^-3Pa；

所述包套内的真空度达到2×10^-3Pa后，启动所述加热炉，以将所述包套 加热至250℃至500℃并保温3h至4h；

在所述包套加热、以及保温过程中仍对所述包套进行抽真空，使所述包 套内的真空度维持在2×10^-3Pa以上。

10.如权利要求1所述的钨硅靶材的制造方法，其特征在于，利用热等静压工 艺对容纳有所述钨硅靶材坯料的包套进行致密化处理包括：

将容纳有所述钨硅靶材坯料的包套置于热等静压炉内，设置所述热等静 压炉的热等静压温度为1200℃至1380℃、热等静压压力为120MPa至180MPa， 使容纳有所述钨硅靶材坯料的包套在所述热等静压温度和热等静压压力下保 温3h至6h。