[发明专利]碳化硅器件的欧姆接触测试方法

权利要求书

1.碳化硅器件的欧姆接触测试方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1，准备第一预定结构样品和第二预定结构样品，所述第一预定结构样品和所述第二预定结构样品上分别形成多个欧姆接触电极组，每一组所述欧姆接触电极组包括四个呈设定间隔设置的欧姆接触电极，以所述第一预定结构样品作为参考测试样品；

步骤2，测试并获得每一组所述欧姆接触电极组的电学性能；

步骤3，对所述第一预定结构样品的电学性能和所述第二预定结构样品的电学性能进行对比；

所述第一预定结构样品上形成的欧姆接触电极为Au/Si/Ti/SiC体系；

所述第二预定结构样品上形成的欧姆接触电极为Au/Si/Ti/SiC体系。

2.根据权利要求1所述的碳化硅器件的欧姆接触测试方法，其特征在于，所述欧姆接触电极具有相同的形状和大小。

3.根据权利要求1所述的碳化硅器件的欧姆接触测试方法，其特征在于，多组所述欧姆接触电极组包含的欧姆接触电极分别具有不同的设定间隔。

4.根据权利要求3所述的碳化硅器件的欧姆接触测试方法，其特征在于，所述设定间隔为50μm、100μm、150μm、200μm或250μm。

5.根据权利要求1所述的碳化硅器件的欧姆接触测试方法，其特征在于，对所述第一预定结构样品和/或所述第二预定结构样品于设定温度下进行热处理后，重复步骤2至步骤3。

6.根据权利要求5所述的碳化硅器件的欧姆接触测试方法，其特征在于，所述设定温度为300℃、400℃、500℃、600℃、或700℃。

7.根据权利要求1所述的碳化硅器件的欧姆接触测试方法，其特征在于，每一个所述欧姆接触电极组的电学性能的测试步骤如下：

步骤21，一第一探针设置于一第一欧姆接触电极上，一第二探针设置于一第二欧姆接触电极上，一第三探针设置于一第三欧姆接触电极上，一第四探针设置于一第四欧姆接触电极上，所述第一欧姆接触电极与所述第三欧姆接触电极呈对角线设置；所述第二欧姆接触电极与所述第四欧姆接触电极呈对角线设置；

步骤22，对所述第一探针和第三探针通以设定大小的电流，测试所述第二探针和所述第四探针之间的电位差；或，对所述第一探针和第三探针施加以设定大小的电压，测试所述第二探针和所述第四探针之间流过的电流；

步骤23，判断是否已获取至少五组测试数据，如果没有，改变电流的大小或电压的大小，重复步骤22；

步骤24，依据所述测试数据绘制I-V电学性能图。

8.根据权利要求7所述的碳化硅器件的欧姆接触测试方法，其特征在于，还包括以下步骤：

步骤25，依据所述测试数据计算相邻欧姆接触电极间总电阻R_t；

步骤26，以所述相邻欧姆接触电极间总电阻R_t为纵坐标，欧姆接触电极之间的距离L为横坐标，做出R_t-L之间的关系曲线；

步骤27，依据以下计算式：于所述关系曲线上作图获得R_SH和R_c；

其中，R_c为金属-半导体接触电阻，R_SH为欧姆接触电极之间的有源层的薄层电阻，L为欧姆接触电极之间的间隔，W为欧姆接触电极的宽度；

步骤28，依据以下公式和ρ_c＝R_cWL_t计算比接触电阻率，其中，R_SK为欧姆接触电极下边的有源层的薄层电阻，L_x为传输长度，ρ_c为比接触电阻率。

9.根据权利要求8所述的碳化硅器件的欧姆接触测试方法，其特征在于，还包括步骤29，对所述第一预定结构样品的比接触电阻率和所述第二预定结构样品的比接触电阻率进行对比。

10.根据权利要求1所述的碳化硅器件的欧姆接触测试方法，其特征在于，对所述第一预定结构样品和/或所述第二预定结构样品于设定温度下进行热处理后，测试并计算热处理后的样品的比接触电阻率。