[发明专利]一种用于改善功率放大器开关谱的功率控制方法及其电路有效
申请号: | 201410669957.5 | 申请日: | 2014-11-20 |
公开(公告)号: | CN104617886B | 公开(公告)日: | 2018-11-27 |
发明(设计)人: | 刘希达 | 申请(专利权)人: | 北京唯捷创芯电子技术有限公司 |
主分类号: | H03F1/02 | 分类号: | H03F1/02;H03F3/20 |
代理公司: | 北京汲智翼成知识产权代理事务所(普通合伙) 11381 | 代理人: | 陈曦;符浩 |
地址: | 100028 北京市朝阳区*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 改善 功率放大器 开关 功率 控制 方法 及其 电路 | ||
1.一种用于改善功率放大器开关谱的功率控制电路,其特征在于包括线性稳压电路和动态电流源;所述线性稳压电路还包括误差放大器(102)、反馈电路(104)和过通元件(105);
所述误差放大器(102)的反相输入端连接外界提供的功率控制信号(Vramp),同相输入端与反馈电路(104)一端相连,输出端(103)与过通元件(105)的栅极相连接;过通元件(105)的源极连接至电源端上,漏极(106)连接至反馈电路的另一端;
所述动态电流源(201)具有三端,第一端(2011)与误差放大器(102)的输出端(103)相连接,第二端(2012)与误差放大器(102)的同相输入端相连接,第三端(2013)连接至过通元件(105)的漏极或者电源端;其中,
所述动态电流源(201)由第一PMOS管(202)、第二PMOS管(204)和一个NMOS管(203)组成;所述第一PMOS管(202)的栅极连接至所述误差放大器(202)的输出端(103),漏极连接至所述误差放大器(102)的同相输入端,源极连接至所述NMOS管(203)的栅极和源极,进一步连接至所述第二PMOS管(204)的漏极;所述NMOS管(203)的漏极连接至所述误差放大器(102)的同相输入端;所述第二PMOS管(204)的栅极连接至过通元件(105)的栅极,源极连接至所述过通元件(105)的源极。
2.如权利要求1所述的功率控制电路,其特征在于还包括动态钳位器(301);所述动态钳位器(301)的一端连接至电源端;另一端与所述误差放大器(102)的输出端(103)相连接。
3.如权利要求2所述的功率控制电路,其特征在于:
所述功率控制信号(Vramp)较小时,所述误差放大器(102)的输出端(103)的电压较高,所述动态钳位器(301)不工作;所述功率控制信号(Vramp)超过设定值时,所述误差放大器(102)的输出端(103)的电压降低,所述动态钳位器(301)有电流通过,对所述过通元件(105)的栅极进行充电以防电压过度降低。
4.如权利要求2所述的功率控制电路,其特征在于:
所述动态钳位器(301)由一个或多个PMOS管串联构成,其中每一个PMOS管的栅极都连接至自身的漏极;
第一个PMOS管的源极连接至电源端,漏极与下一个PMOS管的源极相连接,依此类推,最后一个PMOS管的漏极连接至所述误差放大器(102)的输出端(103)。
5.一种用于改善功率放大器开关谱的功率控制方法,基于权利要求1所述的功率控制电路实现,其特征在于包括以下步骤:
(1)检测过通元件(105)的栅极电压与漏极电压,或者栅极电压与电源电压,得到过通元件(105)的饱和度信息;
(2)如果所述饱和度信息显示过通元件(105)即将脱离饱和工作区时,分流所述过通元件(105)的漏极电流至误差放大器(102),降低漏极输出电压。
6.如权利要求5所述的功率控制方法,其特征在于进一步包括如下步骤:
检测所述过通元件(105)的栅极电压与电源电压,当所述栅极电压与电源电压之差达到设定值时,向所述过通元件(105)的栅极充电以防止饱和度过低。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京唯捷创芯电子技术有限公司,未经北京唯捷创芯电子技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410669957.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种红外电子白板的信号接收电路
- 下一篇:正负极自动转换电路和电源输出模块