[发明专利]一种用于改善功率放大器开关谱的功率控制方法及其电路有效

专利信息
申请号: 201410669957.5 申请日: 2014-11-20
公开(公告)号: CN104617886B 公开(公告)日: 2018-11-27
发明(设计)人: 刘希达 申请(专利权)人: 北京唯捷创芯电子技术有限公司
主分类号: H03F1/02 分类号: H03F1/02;H03F3/20
代理公司: 北京汲智翼成知识产权代理事务所(普通合伙) 11381 代理人: 陈曦;符浩
地址: 100028 北京市朝阳区*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 用于 改善 功率放大器 开关 功率 控制 方法 及其 电路
【权利要求书】:

1.一种用于改善功率放大器开关谱的功率控制电路,其特征在于包括线性稳压电路和动态电流源;所述线性稳压电路还包括误差放大器(102)、反馈电路(104)和过通元件(105);

所述误差放大器(102)的反相输入端连接外界提供的功率控制信号(Vramp),同相输入端与反馈电路(104)一端相连,输出端(103)与过通元件(105)的栅极相连接;过通元件(105)的源极连接至电源端上,漏极(106)连接至反馈电路的另一端;

所述动态电流源(201)具有三端,第一端(2011)与误差放大器(102)的输出端(103)相连接,第二端(2012)与误差放大器(102)的同相输入端相连接,第三端(2013)连接至过通元件(105)的漏极或者电源端;其中,

所述动态电流源(201)由第一PMOS管(202)、第二PMOS管(204)和一个NMOS管(203)组成;所述第一PMOS管(202)的栅极连接至所述误差放大器(202)的输出端(103),漏极连接至所述误差放大器(102)的同相输入端,源极连接至所述NMOS管(203)的栅极和源极,进一步连接至所述第二PMOS管(204)的漏极;所述NMOS管(203)的漏极连接至所述误差放大器(102)的同相输入端;所述第二PMOS管(204)的栅极连接至过通元件(105)的栅极,源极连接至所述过通元件(105)的源极。

2.如权利要求1所述的功率控制电路,其特征在于还包括动态钳位器(301);所述动态钳位器(301)的一端连接至电源端;另一端与所述误差放大器(102)的输出端(103)相连接。

3.如权利要求2所述的功率控制电路,其特征在于:

所述功率控制信号(Vramp)较小时,所述误差放大器(102)的输出端(103)的电压较高,所述动态钳位器(301)不工作;所述功率控制信号(Vramp)超过设定值时,所述误差放大器(102)的输出端(103)的电压降低,所述动态钳位器(301)有电流通过,对所述过通元件(105)的栅极进行充电以防电压过度降低。

4.如权利要求2所述的功率控制电路,其特征在于:

所述动态钳位器(301)由一个或多个PMOS管串联构成,其中每一个PMOS管的栅极都连接至自身的漏极;

第一个PMOS管的源极连接至电源端,漏极与下一个PMOS管的源极相连接,依此类推,最后一个PMOS管的漏极连接至所述误差放大器(102)的输出端(103)。

5.一种用于改善功率放大器开关谱的功率控制方法,基于权利要求1所述的功率控制电路实现,其特征在于包括以下步骤:

(1)检测过通元件(105)的栅极电压与漏极电压,或者栅极电压与电源电压,得到过通元件(105)的饱和度信息;

(2)如果所述饱和度信息显示过通元件(105)即将脱离饱和工作区时,分流所述过通元件(105)的漏极电流至误差放大器(102),降低漏极输出电压。

6.如权利要求5所述的功率控制方法,其特征在于进一步包括如下步骤:

检测所述过通元件(105)的栅极电压与电源电压,当所述栅极电压与电源电压之差达到设定值时,向所述过通元件(105)的栅极充电以防止饱和度过低。

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