[发明专利]半导体结构在审
| 申请号： | 201410670770.7 | 申请日： | 2014-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN105321941A | 公开（公告）日： | 2016-02-10 |
| 发明（设计）人： | 傅志新;张裕东 | 申请（专利权）人： | 联发科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京万慧达知识产权代理有限公司 11111 | 代理人： | 张金芝;杨颖 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 | ||
1.一种半导体结构，其特征在于，包含：
第一备用单元区域，包含多个备用单元；
第一导电线，耦合于第一参考电压和所述多个备用单元，设置为用于提供所述第一参考电压到所述第一备用单元区域的所述多个备用单元；以及
第二导电线，耦合到所述多个备用单元，设置为用于提供第二参考电压到所述第一备用单元区域的所述多个单元。
2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述多个备用单元的每个备用单元执行预定功能，且设置为用于工程改变顺序过程。
3.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第二导电线选择性地耦合到所述第二参考电压。
4.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包含：
第三导电线，耦合于第三电压和所述多个备用单元之间，设置为用于提供第三参考电压到所述多个备用单元。
5.如权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述第二导电线位于所述第一导电线与所述第三导电线之间，且所述第一备用单元区域位于所述第一导电线和所述第三导电线之间。
6.如权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，还包含：
正常单元区域，包含执行预定功能的多个正常单元；以及
第二备用单元区域，包含多个备用单元；
其中所述正常单元区域的每个正常单元耦合到所述第一参考电压和所述第二参考电压，且所述第二备用单元区域的所述多个备用单元耦合到所述第一参考电压并选择性地耦合到所述第二参考电压。
7.如权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，所述第二备用单元区域的每个备用单元执行预定功能，且设置为用于工程改变顺序过程。
8.如权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，所述正常单元区域位于所述第一备用单元区域和所述第二备用单元区域之间。
9.如权利要求8所述的半导体结构，其特征在于，所述正常单元区域的每个正常单元还耦合到所述第三参考电压。
10.如权利要求8所述的半导体结构，其特征在于，所述第二备用单元区域的每个备用单元还耦合到所述第三参考电压。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
