[发明专利]一种应用于晶硅太阳能电池的光刻工艺

权利要求书

1.一种应用于晶硅太阳能电池的光刻工艺，其特征在于，包括：

A、对硅片的正面进行预处理，所述预处理依次包括：对硅片表面进行高压氮气喷扫，将硅片放入HF溶液中浸泡，用去离子水清洗，将硅片放入HCL溶液中浸泡，用去离子水清洗，烘干；

B、对硅片的正面涂布光刻胶；

C、对硅片进行软烘焙处理；

D、使用曝光机对硅片进行对准和曝光，曝光机的功率为200-1000W，曝光时间为1-50秒；

E、将硅片进行后烘焙处理，烘焙温度为80-150℃，烘焙时间为10-100秒；

F、在硅片的表面喷洒显影液；

G、通过红外线灯对硅片进行硬烘焙处理，照射时间为5-20分钟；

H、显影检验；

I、通入CF₄气体对硅片表面进行刻蚀，气体流量为20-100sccm，反应压力为2-10Pa，反应时间为2-20分钟；

J、去除光刻胶；

K、检验，完成光刻，硅片的正面形成光刻绒面；

L、在硅片的正面形成N型发射极、钝化减反射膜和正电极；

M、在硅片的背面形成背电场和背电极；

N、高温烧结，形成太阳能电池。

2.如权利要求1所述的应用于晶硅太阳能电池的光刻工艺，其特征在于，步骤A中，所述预处理依次包括：

对硅片表面进行高压氮气喷扫；

将硅片放入HF溶液中浸泡，反应温度25-30℃，反应时间30-60秒；

用去离子水清洗；

将硅片放入HCL溶液中浸泡，反应温度25-30℃，反应时间30-60秒；

用去离子水清洗；

通过喷入热氮气加压的雾状六甲基二硅胺将硅片烘干，反应温度120-150℃。

3.如权利要求1所述的应用于晶硅太阳能电池的光刻工艺，其特征在于，步骤B中，对硅片的正面通过旋转方式涂布光刻胶，工作转速为1000-5000rpm，涂布时间为5-60秒，光刻胶为化学放大光刻正胶。

4.如权利要求1所述的应用于晶硅太阳能电池的光刻工艺，其特征在于， 步骤D中，曝光机的功率为500-600W，曝光时间为6-10秒。

5.如权利要求4所述的应用于晶硅太阳能电池的光刻工艺，其特征在于，所述曝光机的光罩的宽度和高度之比为0.3-0.8：2.5-3.5。

6.如权利要求5所述的应用于晶硅太阳能电池的光刻工艺，其特征在于，所述曝光机的光罩沿着水平方向的截面为圆形，直径为0.3-0.8μm。

7.如权利要求1所述的应用于晶硅太阳能电池的光刻工艺，其特征在于， 步骤E中，后烘焙处理是通过将硅片置于加热平板上来实现，烘焙温度为100-110℃，烘焙时间为30-60秒。

8.如权利要求1所述的应用于晶硅太阳能电池的光刻工艺，其特征在于，步骤F中，在硅片的表面通过连续喷雾或旋转喷洒显影液，工作转速为300-500rpm。

9.如权利要求1所述的应用于晶硅太阳能电池的光刻工艺，其特征在于，步骤G中，红外线灯距离硅片的距离为5-6公分，照射时间为8-10分钟。

10.如权利要求1所述的应用于晶硅太阳能电池的光刻工艺，其特征在于，步骤I中，CF₄气体的气体流量为40-60sccm，反应压力为4-6Pa，反应时间为6-8分钟。