[发明专利]基于柔性基底的可延展导电薄膜及其制备工艺

权利要求书

1.基于柔性基底的可延展导电薄膜，其特征在于：包括柔性基底、金属底膜、金属薄膜和导电高分子材料薄膜，金属底膜设置在柔性基底表面，金属薄膜和导电高分子材料薄膜呈栅格结构交替设置在金属底膜上，导电高分子材料薄膜的厚度与金属薄膜相同。

2.根据权利要求1所述的基于柔性基底的可延展导电薄膜，其特征在于：所述柔性基底由柔性高分子材料制成。

3.根据权利要求1或2所述的基于柔性基底的可延展导电薄膜，其特征在于：所述金属薄膜由导电性好的金属制成，金属薄膜的厚度为纳米或微米级。

4.根据权利要求3所述的基于柔性基底的可延展导电薄膜，其特征在于：所述导电高分子材料薄膜由导电性良好的柔性高分子材料制成，所述高分子材料薄膜厚度与金属薄膜平齐。

5.根据权利要求4所述的基于柔性基底的可延展导电薄膜，其特征在于：所述金属底膜的厚度为十几或几十纳米。

6.根据权利要求5所述的基于柔性基底的可延展导电薄膜的制备工艺，其特征在于：包括以下步骤，

1）、清洗硅片，通过热氧化工艺在硅片表面形成一层二氧化硅层； 

2）、在二氧化硅表面均匀涂覆一层柔性高分子材料，热固化形成柔性基底；

3）、制备金属底膜：在柔性基底上采用溅射或蒸发工艺制备一层金属作为金属底膜；

4）、制备具有栅格结构的金属薄膜：若制备的金属薄膜为难腐蚀材料，采用光刻、溅射、剥离工艺制备；若金属薄膜为易腐蚀材料，则选用溅射、光刻、刻蚀工艺制备；

5）、采用喷胶、光刻工艺，将光刻胶曝光显影在金属薄膜上得到光刻胶掩膜层图案；

6）、采用电化学聚合工艺在相邻两块金属薄膜之间的栅格结构间制备导电高分子材料薄膜；

7）、采用光刻胶清洗剂去除光刻胶掩膜层，得到金属薄膜和导电高分子材料薄膜交替排列的栅格结构；

8）、用氢氟酸的缓冲液腐蚀掉二氧化硅层，释放出基于柔性基底的可延展导电薄膜整体结构，制备完成。