[发明专利]一种LiBH4-银/卤化银复合物快离子导体的制备方法在审
| 申请号： | 201410673366.5 | 申请日： | 2014-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN104393338A | 公开（公告）日： | 2015-03-04 |
| 发明（设计）人： | 张耀 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | H01M10/0562 | 分类号： | H01M10/0562 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 沈振涛 |
| 地址： | 214000 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 libh4 卤化 复合物 离子 导体 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种LiBH4-银/卤化银复合物快离子导体，其特征在于：由摩尔比为20:1～4:1的LiBH4和银或卤化银制成。
2.一种LiBH4-银/卤化银复合物快离子导体的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：在惰性气体保护下，将LiBH4与银或卤化银混匀、球磨，即得。
3.根据权利要求2所述的一种LiBH4-银/卤化银复合物快离子导体的制备方法，其特征在于：球磨时间为1-4h，球料比为(20-60):1，球磨机公转速度为200-600rpm。
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