[发明专利]一种半导体器件的圆片级封装结构

权利要求书

1.一种半导体器件的封装结构，其包括硅基衬底（1）和带有正负电极的LED芯片（5），所述硅基衬底（1）的上表面为绝缘层Ⅰ（121）、下表面为绝缘层Ⅱ（122），

其特征在于：所述硅基衬底（1）与LED芯片（5）的横截面的面积比最小可达1.5:1，

所述绝缘层Ⅰ（121）的上表面设置再布线金属层，所述再布线金属层的最外层为银层或铝层，所述LED芯片（5）倒装于再布线金属层的表面，所述再布线金属层于该LED芯片（5）的正负电极之间分开形成彼此绝缘的再布线金属层图案Ⅰ（21）和再布线金属层图案Ⅱ（22），

所述LED芯片（5）的垂直区域之外设置至少两个硅通孔（11），所述硅通孔（11）上下贯穿硅基衬底（1）、绝缘层Ⅰ（121）和绝缘层Ⅱ（122），其内壁设置绝缘层Ⅲ（123），所述硅通孔（11）的纵截面呈倒梯形，且其大口端（1211）朝向绝缘层Ⅰ（121）、小口端（1221）朝向绝缘层Ⅱ（122），

所述再布线金属层图案Ⅰ（21）和再布线金属层图案Ⅱ（22）分别向外延伸至同侧的硅通孔（11），并布满其内壁及其小口端（1221）的底部， 

所述绝缘层Ⅱ（122）的下表面设置至少两个导电电极，所述导电电极选择性地覆盖对应的硅通孔（11），并分别通过硅通孔（11）的小口端（1221）与再布线金属层图案Ⅰ（21）、再布线金属层图案Ⅱ（22）连接，实现电气连通，

所述硅基衬底（1）的上方设置透光层（7），所述透光层（7）包封LED芯片（5），且其出光面为表面经过粗化处理的平面。

2.根据权利要求1所述的半导体器件的封装结构，其特征在于：所述硅通孔（11）设置于LED芯片（5）的正负电极的长端外侧、短端外侧、对角线的外延侧的一种或任意几种的组合。

3.根据权利要求2所述的半导体器件的封装结构，其特征在于：所述透光层（7）的出光面布满密度均匀的微型凹槽或微型凹坑。

4.根据权利要求1或2或3所述的半导体器件的封装结构，其特征在于：所述硅基衬底（1）的厚度h1在200微米以下。

5.根据权利要求4所述的半导体器件的封装结构，其特征在于：所述硅基衬底（1）的厚度h1为70～100微米。

6.根据权利要求1或2或3所述的半导体器件的封装结构，其特征在于：所述硅通孔（11）的小口端（1221）的口径不小于20微米。

7.根据权利要求1或2或3所述的半导体器件的封装结构，其特征在于：所述正负电极与再布线金属层之间设置金属块，所述金属块的高度h2的范围为3～20微米。

8.根据权利要求7所述的半导体器件的封装结构，其特征在于：所述金属块的高度h2的范围为7～12微米。

9.根据权利要求1或2或3所述的半导体器件的封装结构，其特征在于：所述LED芯片（5）的出光面涂覆荧光物质（6）。

10.根据权利要求1或2或3所述的半导体器件的封装结构，其特征在于：还包括导热电极（323），所述导热电极（323）设置于导电电极之间或者其一侧，且置于LED芯片（5）的正下方。