[发明专利]晶圆清洗的机制

说明书

本发明提供了与清洗晶圆的机制相关的实施例。用于晶圆清洗的方法包括通过湿台清洗操作清洗晶圆。该方法也包括此后通过单晶圆清洗操作清洗每个晶圆。此外，也提供了用于增强上述方法的性能的清洗装置。

技术领域

本发明涉及集成电路器件，更具体地，涉及晶圆清洗的机制。

背景技术

半导体集成电路(IC)工业已经经历了快速增长。IC材料和设计中的技术进步已经产生了多代IC，其中，每一代都具有比前一代更小和更复杂的电路。然而，这些进步增加了加工和制造IC的复杂度，并且为了实现这些进步，需要IC加工和制造中的类似发展。在IC演化过程中，功能密度(即，每芯片面积的互连器件的数量)普遍增大，而几何尺寸(即，使用制造工艺可以产生的最小组件(或线))减小。这种按比例缩小的工艺通常通过提高生产效率和降低相关成本来提供益处。

半导体制造中的关键条件是在晶圆加工表面上没有污染物，因为污染物(例如，微观颗粒)可以干扰并且不利地影响后续的加工步骤，从而导致器件退化和最终的半导体晶圆的废弃。而晶圆清洗工艺一直是半导体晶圆制造工艺中的关键步骤，超净晶圆对器件集成正变得甚至更加关键。例如，由于半导体部件尺寸减小，颗粒污染物的不利影响增大，从而需要去除更小的颗粒。此外，由于器件层的数量增大，清洗步骤的数量和由颗粒污染物引起的器件退化的可能性也相应地增大。为了充分地满足ULSI和VLSI中的超净晶圆的需求，需要晶圆表面基本上没有污染颗粒。

期望具有用于清洗晶圆的方法和装置以减少晶圆上的污染物。

发明内容

为了解决现有技术中存在的问题，本发明提供了一种用于晶圆清洗的方法，包括：通过湿台清洗操作清洗晶圆；以及此后通过单晶圆清洗操作清洗每个所述晶圆。

在上述方法中，其中，所述湿台清洗操作包括将所述晶圆浸入湿蚀刻剂中。

在上述方法中，其中，所述湿台清洗操作包括将所述晶圆浸入湿蚀刻剂中，其中，所述湿蚀刻剂包括SPM(H₂SO₄，H₂O₂)、APM(NH₄OH，H₂O₂)、SC1(去离子水(DIW)，NH₄OH，H₂O₂)、SC2(DIW，HCl，H₂O₂)、臭氧去离子水、H₃PO₄、稀氢氟酸(DHF)、HF、HF/乙二醇(EG)、HF/HNO₃、NH₄OH或它们的组合。

在上述方法中，其中，在湿台清洗器件中实施所述湿台清洗操作，并且在多个单晶圆清洗器件中实施所述单晶圆清洗操作。

在上述方法中，其中，在湿台清洗器件中实施所述湿台清洗操作，并且在多个单晶圆清洗器件中实施所述单晶圆清洗操作，其中，所述单晶圆清洗操作包括将清洗液喷射至每个所述单晶圆清洗器件中的所述晶圆。

在上述方法中，其中，在湿台清洗器件中实施所述湿台清洗操作，并且在多个单晶圆清洗器件中实施所述单晶圆清洗操作，其中，所述单晶圆清洗操作包括将清洗液喷射至每个所述单晶圆清洗器件中的所述晶圆，其中，所述清洗液是去离子水、SPM(H₂SO₄，H₂O₂)、APM(NH₄OH，H₂O₂)、SC1(去离子水(DIW)，NH₄OH，H₂O₂)、SC2(DIW，HCl，H₂O₂)、臭氧去离子水、H₃PO₄、稀氢氟酸(DHF)、HF、HF/乙二醇(EG)、HF/HNO₃、NH₄OH、它们的组合。