[发明专利]甲基异氰酸酯合成工艺中残渣的处理系统及处理方法

权利要求书

1.一种甲基异氰酸酯合成工艺中残渣的处理系统，其特征在于，包括

残渣隔离罐，用于收集甲基异氰酸酯合成工艺中甲氨基甲酰氯分解后产生的残渣物料，静置分层，得到上层的液相物料和下层的沉淀物料；

与所述残渣隔离罐顶部相连的混配槽，用于收集上层的液相物料，循环利用；及

与所述残渣隔离罐底部相连的蒸渣罐，用于收集下层的沉淀物料，并对所述沉淀物料进行蒸滤，分离出残渣。

2.根据权利要求1所述的甲基异氰酸酯合成工艺中残渣的处理系统，其特征在于，所述残渣隔离罐的顶部设有溢流口，底部设有排出口，所述混配槽与所述溢流口相连，所述蒸渣罐与所述排出口相连。

3.一种甲基异氰酸酯合成工艺中残渣的处理方法，其特征在于，包括以下步骤：

收集甲基异氰酸酯合成工艺中甲氨基甲酰氯分解后产生的残渣物料，静置分层，得到上层的液相物料和下层的沉淀物料；

收集上层的液相物料，循环利用；及

收集下层的沉淀物料，并对所述沉淀物料进行蒸滤，分离出残渣。

4.根据权利要求3所述的甲基异氰酸酯合成工艺中残渣的处理方法，其特征在于，所述收集上层的液相物料的方法具体为：上层的液相物料自动溢流分出，进行收集。

5.根据权利要求3所述的甲基异氰酸酯合成工艺中残渣的处理方法，其特征在于，所述收集下层的沉淀物料的方法具体为：在0.2MPa~0.3MPa的氮气压力下，将所述下层的沉淀物料压出，进行收集。

6.根据权利要求3所述的甲基异氰酸酯合成工艺中残渣的处理方法，其特征在于，所述蒸滤的方法具体为：在0.35MPa~0.45MPa蒸汽压力下，蒸滤2~3小时。

7.根据权利要求3所述的甲基异氰酸酯合成工艺中残渣的处理方法，其特征在于，所述甲氨基甲酰氯分解后产生的残渣物料由以下步骤提供：

在55℃~58℃，将甲胺和光气混合反应得到甲氨基甲酰氯；

将所述甲氨基甲酰氯溶解在三氯甲烷中，加热分解，得到残渣物料。

8.根据权利要求7所述的甲基异氰酸酯合成工艺中残渣的处理方法，其特征在于，所述甲胺和光气的摩尔比为1:1.1~1:1.25。

9.根据权利要求7所述的甲基异氰酸酯合成工艺中残渣的处理方法，其特征在于，所述加热分解的步骤中，加热的温度为65℃~75℃。