[发明专利]一种IO口间无相互干扰的低电容多通道瞬态电压抑制器

权利要求书

1.一种低电容多通道瞬态电压抑制器，其特征在于：包括P+半导体衬底，P-外延层位于P+半导体衬底上；外延层上从左到右分别有包含第一环形P+有源注入区的左端，第一N阱，第一环形P+有源注入区的右端，第二N阱，第一P阱，第三N阱，第二环形P+有源注入区的左端，第四N阱，第二环形P+有源注入区的右端；

所述的第一N阱和第四N阱上分别设有第一N+有源注入区和第五N+有源注入区；

所述的第二N阱上设有第二N+有源注入区和第二P+有源注入区；

所述的第一P阱上设有第三N+有源注入区；

所述的第三N阱上设有第四N+有源注入区和第三P+有源注入区。

2.根据权利要求1所述的低电容多通道瞬态电压抑制器，其特征在于：所述的P+半导体衬底掺杂浓度为1*10¹⁸_~5*10¹⁸atom/cm³。

3.根据权利要求1所述的低电容多通道瞬态电压抑制器，其特征在于：所述的P-外延层掺杂浓度为1*10¹³_~5*10¹³atom/cm³，厚度为19_~20μm。

4.根据权利要求1所述的低电容多通道瞬态电压抑制器，其特征在于：所述的第一、二、三、四N阱的掺杂浓度为1*10¹⁵_~5*10¹⁵atom/cm³，深度为4_~5μm。

5.根据权利要求1所述的低电容多通道瞬态电压抑制器，其特征在于：所述的第一P阱的掺杂浓度为1*10¹⁸atom/cm³(表层浓度)，浓度逐渐减少到外延层浓度，深度为9-10μm。

6.根据权利要求1所述的低电容多通道瞬态电压抑制器，其特征在于：所述的第一、二、三、四、五N+有源注入区的掺杂浓度为5*10¹⁸_~1*10²⁰atom/cm³；深度为1-2μm。

7.根据权利要求1所述的低电容多通道瞬态电压抑制器，其特征在于：所述的第一、二、三、四P+有源注入区的掺杂浓度为1*10¹⁹_~1*10²⁰atom/cm³，深度为1_~1.5μm。

8.根据权利要求1所述的低电容多通道瞬态电压抑制器，其特征在于：所述的第一P+有源区环绕第一N阱，所以从截面图能看到，第一N 阱的左右两边都是第一P+有源区；同样，所述的第二环形P+有源注入区环绕第四N阱，所以从截面图能看到，第四N 阱的左右两边也都是第四P+有源区。

9.根据权利要求1-8之一所述的低电容多通道瞬态电压抑制器的瞬态电压抑制方法，其特征在于：所述的瞬态电压抑制器的某一个IO口对GND等效电路有一个正向二极管、一个齐纳稳压管和一个反向二级管组成，其中正向通过一个齐纳二极管与一个小电容的正向二极管相连来泄放高于被保护电路工作电压的浪涌电流，反向通过一个单纯的反向二极管来泄放电流；其中齐纳二极管在衬底的中央，齐纳二极管的两侧是正向二极管，正向二极管的两侧为反向二极管；每个IO口连接正向二极管的正向端和反向二极管的反向端；齐纳二极管接两侧正向二极管的反向端。