[发明专利]一种半导体光电器件的表面钝化方法

权利要求书

1.一种半导体光电器件的表面钝化方法，包括如下步骤：

在所述半导体光电器件的表面覆盖一层硫原子层，在所述硫原子层上覆盖一层介质膜。

2.如权利要求1所述的半导体光电器件的表面钝化方法，其特征在于，所述硫原子层通过电镀形成。

3.如权利要求2所述的半导体光电器件的表面钝化方法，其特征在于，所述电镀过程采用的电镀液为Na₂S的乙二醇溶液或NH₄S的水溶液。

4.如权利要求3所述的半导体光电器件的表面钝化方法，其特征在于，所述电镀液的浓度为0.1～0.2mol/L。

5.如权利要求2所述的半导体光电器件的表面钝化方法，其特征在于，在所述电镀过程，将所述半导体光电器件的表面的材料固定在电解质溶液中，作为阳极。

6.如权利要求1所述的半导体光电器件的表面钝化方法，其特征在于，所述介质层是SiO₂或ZnS。

7.如权利要求6所述的半导体光电器件的表面钝化方法，其特征在于，所述介质层通过磁控溅射或化学气相沉积的方法形成。

8.如权利要求1所述的半导体光电器件的表面钝化方法，其特征在于，在所述半导体光电器件的表面覆盖所述硫原子层之前，对所述表面去除氧化层。