[发明专利]一种大功率低垂直发散角InGaAs/GaAs多量子阱半导体激光器结构

权利要求书

1.一种大功率低垂直发散角InGaAs/GaAs多量子阱半导体激光器结构，其特征在于，包括：

一衬底，在该层结构上进行激光器各层材料外延生长；

一缓冲层，该缓冲层生长在衬底上，为N型砷化镓材料；

一N型下限制层，该N型下限制层制作在缓冲层上；

一下N型下波导层，该N型下波导层生长在下限制层上；

一多量子阱层，该多量子阱层生长在下波导层上；

一P型上波导层，该P型上波导层生长在多量子阱层上；

一P型上限制层，该P型上限制层生长在P型上波导层上；

一P型高掺杂层，该P型高掺杂层生长在P型上限制层上，形成大功率低垂直发散角InGaAs/GaAs多量子阱半导体激光器半导体激光器结构。

2.根据权利要求1所述的大功率低垂直发散角InGaAs/GaAs多量子阱半导体激光器结构，其特征在于，其中衬底是(100)面偏(111)面4度的N型砷化镓材料，Si掺杂浓度范围是1E18/cm³～3E18/cm³。

3.根据权利要求1所述的大功率低垂直发散角InGaAs/GaAs多量子阱半导体激光器结构，其特征在于，其中缓冲层为N型砷化镓材料，厚度范围是300～600纳米，Si掺杂浓度范围是2E18/cm³～4E18/cm³。

4.根据权利要求1所述的大功率低垂直发散角InGaAs/GaAs多量子阱半导体激光器结构，其特征在于，其中N型下限制层是Al_0.47Ga_0.63As材料，厚度范围是1250～1950纳米,Si掺杂浓度范围是5E18/cm³～8E18/cm³。

5.根据权利要求1所述的大功率低垂直发散角InGaAs/GaAs多量子阱半导体激光器结构，其特征在于，其中N型下波导层由5～20对Al_0.13Ga_0.87As/Al_0.33Ga_0.67As，每对Al_0.13Ga_0.87As/Al_0.33Ga_0.67As厚度范围分别是30～150/500～900纳米,Si掺杂浓度范围是1E18/cm³～8E18/cm³。

6.根据权利要求1所述的大功率低垂直发散角InGaAs/GaAs多量子阱半导体激光器结构，其特征在于，其中多量子阱层材料是In_xGa_1-xAs/GaAs，In_xGa_1-xAs/GaAs厚度范围分别是5～9/9～13纳米,x值范围是0.1～0.3，量子阱数范围是3～6个。

7.根据权利要求1所述的大功率低垂直发散角InGaAs/GaAs多量子阱半导体激光器结构，其特征在于，其中P型上波导层由3～15对Al_0.13Ga_0.87As/Al_0.33Ga_0.67As，每对Al_0.13Ga_0.87As/Al_0.33Ga_0.67As厚度范围分别是30～150/500～900纳米,Zn掺杂浓度范围是1E18/cm³～8E18/cm³。

8.根据权利要求1所述的大功率低垂直发散角InGaAs/GaAs多量子阱半导体激光器结构，其特征在于，其中N型上限制层是Al_0.47Ga_0.63As材料，厚度范围是1250～1950纳米,Zn掺杂浓度范围是5E18/cm³～8E18/cm³。

9.根据权利要求1所述的大功率低垂直发散角InGaAs/GaAs多量子阱半导体激光器结构，其特征在于，其中P型高掺杂层是P型砷化镓高掺杂层，其厚度范围是200～500纳米,Zn掺杂浓度范围是3E19/cm³～8E19/cm³。