[发明专利]固态摄像元件、制造方法以及电子设备

权利要求书

1.一种固态摄像元件，其包括：

半导体基板，其中多个光电二极管以平面布置；和

分离部，其用于分离所述光电二极管，

其中，所述分离部具有通过将具有黄铜矿结构的化合物半导体或III-V族化合物半导体填充至形成于所述半导体基板中的沟槽中而形成的光电转换部。

2.如权利要求1所述的固态摄像元件，其中，所述分离部还包括：

透明电极，其层叠在所述光电转换部的上部；和

P型掺杂层，其设置成覆盖所述光电转换部的侧面和底面，并且

所述透明电极和所述P型掺杂层均接地。

3.如权利要求2所述的固态摄像元件，还包括：

驱动装置，其中，同时经由所述透明电极提取利用入射在所述分离部上的入射光进行光电转换而在所述光电转换部中生成的光电子和经由所述P型掺杂层提取在所述光电转换部中生成的正空穴，并且所述驱动装置将从所述光电转换部中提取的光伏电力用于驱动。

4.如权利要求2所述的固态摄像元件，其中，

所述分离部还包括层叠在所述光电转换部和所述透明电极之间的缓冲层。

5.如权利要求1所述的固态摄像元件，其中，

所述光电转换部形成于比所述沟槽的预定深度更浅的部分中，并且在比所述沟槽的所述预定深度更深的部分中填充有绝缘膜或金属膜。

6.如权利要求5所述的固态摄像元件，其中，在比所述沟槽的所述预定深度更深的部分中填充有有机膜。

7.如权利要求5所述的固态摄像元件，其中，

形成有所述光电转换部的部分的深度为400nm以上。

8.如权利要求1所述的固态摄像元件，其中，

所述分离部还包括金属薄膜，所述金属薄膜在比所述光电转换部的预定深度更深的部分中覆盖所述光电转换部的侧面。

9.如权利要求1所述的固态摄像元件，其中，

在所述半导体基板上层叠有绝缘层和滤色器，并且

所述分离部形成为从所述半导体基板突出至所述滤色器沿厚度方向的中部，以便于从所述半导体基板向所述滤色器侧延伸，或者所述分离部形成为从所述半导体基板突出直至所述滤色器被分离为止。

10.如权利要求1所述的固态摄像元件，其中，所述分离部还包括：

透明电极，其布置在所述光电转换部上方并且施加负偏压，

电极，其布置在所述光电转换部下方并且施加正偏压，

存储部，其布置在所述光电转换部和所述电极之间，并且所述存储部存储利用入射在所述分离部上的入射光进行光电转换而在所述光电转换部中生成的光电子，以及

栅电极，其构成用于将存储在所述存储部中的光电子提取为信号的传输晶体管。

11.如权利要求10所述的固态摄像元件，还包括：

信号处理电路，其根据作为从所述光电二极管中读取的光电二极管信号和从所述光电转换部中读取的像素分离信号的比率的信号强度比以及数据库进行信号处理，在所述数据库中，与所述信号强度比相对应的混合度通过仿真或实际测量被预先预估和登记，所述信号处理用于确定在将所述像素分离信号加算至所述光电二极管信号时的所述混合度，并且以根据所述混合度的比率将所述像素分离信号加算至所述光电二极管信号。

12.一种用于制造固态摄像元件的方法，所述固态摄像元件设置有具有以平面布置的多个光电二极管的半导体基板和用于分离所述光电二极管的分离部，该方法包括：

在形成所述分离部时，在所述半导体基板中形成沟槽；并且

通过将具有黄铜矿结构的化合物半导体或III-V族化合物半导体填充在所述沟槽中而形成光电转换部。