[发明专利]硅深孔刻蚀方法有效
| 申请号： | 201410676110.X | 申请日： | 2014-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN105679700B | 公开（公告）日： | 2019-08-23 |
| 发明（设计）人： | 钦华林 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;张天舒 |
| 地址： | 100176 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 硅深孔 刻蚀 方法 | ||
1.一种硅深孔刻蚀方法，其特征在于，包括以下步骤：
沉积步骤，用于在硅孔侧壁和底部沉积一层聚合物；
刻蚀过渡步骤，用于排出硅孔内的沉积气体及反应生成物；
刻蚀步骤，用于刻蚀硅孔侧壁和底部的所述聚合物，同时增加刻蚀深度；
沉积过渡步骤，用于排出硅孔内的刻蚀气体及反应生成物；
循环进行上述四个步骤，直至达到所需的总刻蚀深度；其中，
所述刻蚀过渡步骤所采用的工艺气体与所述刻蚀步骤所采用的刻蚀气体相同；
所述沉积过渡步骤所采用的工艺气体与所述沉积步骤所采用的沉积气体相同；其中，
所述沉积过渡步骤和刻蚀过渡步骤各自所采用的腔室压力、上电极功率、下电极功率和工艺气体的流量分别相对于所述沉积步骤和刻蚀步骤降低，以促进硅深孔内的所述反应生成物排出。
2.如权利要求1所述的硅深孔刻蚀方法，其特征在于，在所述沉积过渡步骤和所述刻蚀过渡步骤中，腔室压力的取值范围在5～35mT。
3.如权利要求2所述的硅深孔刻蚀方法，其特征在于，所述腔室压力的取值范围在10～20mT。
4.如权利要求1所述的硅深孔刻蚀方法，其特征在于，在所述沉积过渡步骤和所述刻蚀过渡步骤中，上电极功率的取值范围在500～1500W。
5.如权利要求4所述的硅深孔刻蚀方法，其特征在于，所述上电极功率的取值范围在500～1000W。
6.如权利要求1所述的硅深孔刻蚀方法，其特征在于，在所述沉积过渡步骤和所述刻蚀过渡步骤中，下电极功率为零。
7.如权利要求1所述的硅深孔刻蚀方法，其特征在于，在所述沉积过渡步骤和所述刻蚀过渡步骤中，工艺气体的流量的取值范围在20～100sccm。
8.如权利要求7所述的硅深孔刻蚀方法，其特征在于，所述工艺气体的流量的取值范围在20～50sccm。
9.如权利要求1所述的硅深孔刻蚀方法，其特征在于，所述沉积过渡步骤的工艺时间为0.1～1s；所述刻蚀过渡步骤的工艺时间为0.1～1s。
10.如权利要求9所述的硅深孔刻蚀方法，其特征在于，所述沉积过渡步骤的工艺时间为0.5～1s；所述刻蚀过渡步骤的工艺时间为0.5～1s。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
