[发明专利]一种硅晶片循环抛光装置及循环抛光方法

权利要求书

1.一种硅晶片循环抛光装置，该装置包括抛光系统、所述抛光系统包括抛光头、硅晶片和抛光垫，其上有两个出液口并设有闭合装置；抛光垫清洗系统；其特征在于，该装置还包括抛光液处理系统，所述抛光液处理系统包括第一储液槽，在第一储液槽中设有分液漏斗和精密PH计，通过管路与抛光系统连通，在连通管路上设有第一滤芯和第一恒流泵，第二储液槽通过抛光系统的一出液口与抛光系统连通，第三储液槽通过管路分别与第一、第二储液槽连通，在连通的管路上均设有滤芯第二、第三滤芯和第二、第三恒流泵；所述抛光垫清洗系统包括第四储液槽和管路，第四储液槽通过管路和抛光系统的另一出液口与抛光系统连通，连通管路上设有第四恒流泵。

2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述第一和第三滤芯孔径为0.2μm，第二滤芯孔径为2μm。

3.一种利用权利要求1或2所述装置对硅晶片循环抛光方法，其特征在该方法包括以下步骤：

首先打开第一恒流泵使配制好的抛光液经过管路和第一滤芯进入抛光系统；

打开抛光系统进行抛光；

在抛光后打开第二恒流泵，使循环后的抛光液经过第二滤芯实现初次过滤；

再打开第三恒流泵，使循环后的抛光液经过第三滤芯实现二次过滤；

待抛光液每次完全回流到第一储液槽后，使用精密PH计测量第一储液槽中循环后抛光液的PH值，并通过分液漏斗及时补加一定浓度的碱性腐蚀剂(乙二胺)至PH值恢复至初始PH值；

在每一次循环抛光完成后，抛光液处理系统的恒流泵停止工作，打开第四恒流泵对抛光垫进行清洗。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述第一恒流泵的流量为3.5L/min，所述第二恒流泵的流量为3L/min，所述第三恒流泵的流量设定为2.5L/min。

5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述抛光系统的抛光压力0.3MPa，抛光液流量3.5L/min，下盘转速50rpm，抛光温度控制在38℃以下，通过冷水机提供循环冷却水控制抛光温度。