[发明专利]一种稀土铁硼磁粉、磁体及磁粉的制备方法有效
申请号: | 201410676882.3 | 申请日: | 2014-11-21 |
公开(公告)号: | CN104376944A | 公开(公告)日: | 2015-02-25 |
发明(设计)人: | 刘荣明;刘超超;刘冬;邹科;高俊彦;李野;王倩;滕阳民;李炳山 | 申请(专利权)人: | 北矿磁材科技股份有限公司 |
主分类号: | H01F1/057 | 分类号: | H01F1/057;H01F1/08;B22F9/16 |
代理公司: | 北京凯特来知识产权代理有限公司 11260 | 代理人: | 郑立明;李闯 |
地址: | 102600 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 稀土 铁硼磁粉 磁体 制备 方法 | ||
1.一种稀土铁硼磁粉,其特征在于,具有Nd2Fe14B型结构,其化学通式为:[RexNd1-x]y(Fe,TM)1-y-zBz,式中,Re为La、Ce或Pr中的至少一种,TM为Co、Nb、Ga、V、Mo、Zr、Cr、W、Ni、Al、Cu、Ti或Si中的至少一种;
x表示Re在Re和Nd总体中的原子百分比,并满足0﹤x≤99.9的条件;
y表示Re和Nd总体在磁粉整体中的原子百分比,并满足12≤y≤17的条件;
z表示B在磁粉整体中的原子百分比,并满足5≤z≤8.5的条件。
2.根据权利要求1所述的稀土铁硼磁粉,其特征在于,TM为Co、Nb、Ga、V、Mo、Zr、Cr、W、Ni、Al、Cu、Ti或Si中的至少一种,并且这些元素在Fe和TM总体中的原子百分比分别为:Co为0~20.0at.%,Nb为0~1.0at.%,Ga为0~3.0at.%,Mo为0~1.0at.%,Zr为0~1.0at.%,Cr为0~1.0at.%,W为0~1.0at.%,Ni为0~1.0at.%,Al为0~3.0at.%,Cu为0~2.0at.%,Ti为0~1.0at.%,Si为0~1.0at.%。
3.根据权利要求1或2所述的稀土铁硼磁粉,其特征在于,该稀土铁硼磁粉的内禀矫顽力为6~20kOe,剩余磁化强度为5.0~14kOe,最大磁能积为5~38MGOe。
4.一种稀土铁硼磁粉的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
步骤A、按照上述权利要求1至3中任一项所述的稀土铁硼磁粉进行配料;
步骤B、将配制好的原料制成稀土铁硼合金铸锭或稀土铁硼合金速凝片;
步骤C、对稀土铁硼合金铸锭或稀土铁硼合金速凝片进行退火处理;
步骤D、对退火处理后的稀土铁硼合金铸锭或稀土铁硼合金速凝片进行氢破碎处理,得到稀土铁硼合金颗粒;
步骤E、将稀土铁硼合金颗粒置入HDDR炉中进行吸氢-歧化阶段的处理,并且在歧化阶段开始5~60分钟后,将HDDR炉内的温度提升20~50℃,将HDDR炉内的氢气压力提升1~10kPa,再保温保压60~180分钟,即完成吸氢-歧化阶段的处理;
步骤F、在吸氢-歧化阶段的处理完成后,向HDDR炉内通入稀有气体,使HDDR炉内的气压提升70~75kPa,保压30~120分钟;再将HDDR炉内的温度提升20~50℃,保温5~60分钟;然后排出HDDR炉内的气体,使HDDR炉内的气压在30分钟内下降到5.0kPa以下,脱氢阶段开始;经过5~60分钟后,每隔5~60分钟将HDDR炉内的温度降低15~25℃,直至HDDR炉的温度达到800~850℃;再将HDDR炉内抽真空至5×10-3Pa以下,停止加热并继续抽真空;当HDDR炉内抽真空至3×10-3Pa以下,并且HDDR炉内的温度降低到700~800℃时,向HDDR炉内通入稀有气体进行强制冷却,即完成脱氢-再结合阶段的处理,得到稀土铁硼磁粉。
5.根据权利要求4所述的制备方法,其特征在于,所述的吸氢-歧化阶段的处理包括:将HDDR炉内抽真空至5×10-3Pa以下,并将HDDR炉的温度加热到800~825℃,保温5~60分钟,停止抽真空;再经过5~60分钟后,向HDDR炉内通入20~25kPa氢气,保持氢气的压力恒定5~60分钟,歧化阶段开始;在歧化阶段开始5~60分钟后,将HDDR炉内的温度提升20~50℃,将HDDR炉内的氢气压力提升1~10kPa,再保温保压60~180分钟,即完成吸氢-歧化阶段的处理。
6.根据权利要求4或5所述的制备方法,其特征在于,在对退火处理后的稀土铁硼合金铸锭或稀土铁硼合金速凝片进行氢破碎处理之前,将稀土铁硼合金铸锭或稀土铁硼合金速凝片置于稀有气体的保护下进行砂磨,从而去除稀土铁硼合金铸锭或稀土铁硼合金速凝片表面的氧化层和杂质。
7.根据权利要求6所述的制备方法,其特征在于,在对退火处理后的稀土铁硼合金铸锭或稀土铁硼合金速凝片进行氢破碎处理的过程中,初始氢气压力设定为0.2~0.4MPa,初始温度设定为20~300℃,吸氢过程进行2~4个小时,然后于500~600℃脱氢。
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