[发明专利]液晶显示面板及其彩膜阵列基板

说明书

技术领域

本发明涉及液晶显示技术领域，具体而言涉及一种彩膜阵列基板以及具有该彩膜阵列基板的液晶显示面板。

背景技术

随着业界对液晶显示面板的对盒精度要求越来越高，传统的对盒工艺已经无法满足高精度要求，基于此，通过在阵列基板上制作彩色滤光膜和黑矩阵的彩膜阵列基板逐渐发展起来。

现有的彩膜阵列基板，其薄膜晶体管阵列上依次层叠有彩色滤光膜、像素电极和黑矩阵，并且彩色滤光膜上开设有过孔(CF Open)，以实现像素电极和金属材质的信号线之间的电连接。然而，若要保证良好的电连接就需要尺寸较大的过孔，这无疑会降低像素开口率，并且容置于过孔的气体在对盒制程后极易因震动而外泄，并扩散至液晶层，从而产生泡影(Bubble)并形成黑团，影响显示效果。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例所要解决的技术问题是提供一种液晶显示面板及其彩膜阵列基板，能够在确保对盒精度的同时，提升像素开口率，并保证良好的显示效果。

为解决上述技术问题，本发明采用的一个技术方案是：提供一种彩膜阵列基板，包括衬底基体以及形成于衬底基体上的黑矩阵、薄膜晶体管阵列、彩色滤光膜、像素电极，其中，像素电极叠设于彩色滤光膜上，薄膜晶体管阵列叠设于黑矩阵上且与像素电极相连。

其中，彩色滤光膜包括第一区域和第二区域，第一区域的彩色滤光膜与黑矩阵相邻设置于衬底基体上，第二区域的彩色滤光膜设置于薄膜晶体管阵列上，黑矩阵的厚度小于第一区域的彩色滤光膜的厚度，且大于第二区域的彩色滤光膜的厚度。

其中，彩膜阵列基板还包括叠设于薄膜晶体管阵列上的钝化层，像素电极通过贯穿第二区域的彩色滤光膜以及钝化层的通道孔与薄膜晶体管阵列的漏电极对应相连。

其中，通过干法刻蚀的方式形成通道孔。

其中，黑矩阵与第二区域的彩色滤光膜的厚度之差为0.5微米。

其中，彩色滤光膜与黑矩阵相邻设置于衬底基体上，且黑矩阵的厚度与彩色滤光膜的厚度相同。

其中，彩膜阵列基板还包括叠设于薄膜晶体管阵列上的钝化层，像素电极通过贯穿钝化层的通道孔与薄膜晶体管阵列的漏电极相连。

其中，彩膜阵列基板还包括绝缘层和公共电极，绝缘层叠设于像素电极上，公共电极叠设于绝缘层上。

为解决上述技术问题，本发明采用的另一个技术方案是：提供一种液晶显示面板，包括对盒的彩膜阵列基板和公共基板以及夹设于两者之间的液晶层，彩膜阵列基板包括衬底基体以及形成于衬底基体上的黑矩阵、薄膜晶体管阵列、彩色滤光膜、像素电极，像素电极叠设于彩色滤光膜上，薄膜晶体管阵列叠设于黑矩阵上且与像素电极相连。

其中，公共基板朝向彩膜阵列基板的表面上设置有公共电极。

通过上述技术方案，本发明实施例所产生的有益效果是：本发明实施例设计彩膜阵列基板的薄膜晶体管阵列叠设于黑矩阵上且与像素电极相连，通过黑矩阵垫高薄膜晶体管阵列使之与设置于彩色滤光膜上的像素电极高度相近，从而无需在彩色滤光膜上开设过孔，可避免容置于过孔的气体外泄至液晶层而产生泡影，保证良好的显示效果，并且还能提高对盒精度以及提升像素开口率。

附图说明

图1是本发明第一实施例的彩膜阵列基板的结构剖视图；

图2是本发明第二实施例的彩膜阵列基板的结构剖视图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，本发明以下所描述的实施例仅仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。

图1是本发明第一实施例的彩膜阵列基板的结构剖视图。请参阅图1所示，彩膜阵列基板10包括衬底基体11以及形成于衬底基体11上的黑矩阵12、薄膜晶体管阵列13、彩色滤光膜14以及像素电极15，像素电极15叠设于彩色滤光膜14上，薄膜晶体管阵列13叠设于黑矩阵12上且与像素电极15相连(电连接)。其中：

彩色滤光膜14包括第一区域A和第二区域B，位于第一区域A的彩色滤光膜14与黑矩阵12相邻设置于衬底基体11上，位于第二区域B的彩色滤光膜14设置于薄膜晶体管阵列13上。黑矩阵12的厚度小于位于第一区域A的彩色滤光膜14的厚度，且大于位于第二区域B的彩色滤光膜14的厚度，本实施例优选黑矩阵12与位于第二区域B的彩色滤光膜14的厚度之差为0.5微米，彩色滤光膜14在第一区域A和第二区域B的上表面与衬底基体11的间距相等。