[发明专利]一种黄瓜大孢子培养中克服再生植株花打顶的方法有效

专利信息
申请号: 201410678014.9 申请日: 2014-11-21
公开(公告)号: CN104521750A 公开(公告)日: 2015-04-22
发明(设计)人: 刘立功;李军;张峰;王晶;赵泓;于拴仓;崔瑾;杨红红 申请(专利权)人: 北京市农林科学院
主分类号: A01H4/00 分类号: A01H4/00
代理公司: 北京五洲洋和知识产权代理事务所(普通合伙) 11387 代理人: 刘春成
地址: 100097 北京市*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 黄瓜 大孢子 培养 克服 再生 植株 打顶 方法
【说明书】:

技术领域

发明属于植物组织培养领域,特别涉及一种在黄瓜大孢子培养过程中,克服胚状体分化成再生植株后发生花打顶的方法。

背景技术

黄瓜大孢子培养通过诱导黄瓜大孢子出胚,可以快速产生纯合的育种新材料(纯系),缩短了育种年限,提高育种效率,还可用作遗传转化的优良受体材料。通过黄瓜大孢子培养成功获得的胚状体,要转移到再生培养基中进行植株的再生,而在植株再生过程中由于培养基的成份和外界培养环境条件等因素,会导致很大比例的再生小植株发生花打顶的生理障碍(小植株在再生培养基上持续大量开花直至养分耗尽最后凋亡),使得再生小植株不能成功的发育成健康的植株,花打顶现象严重影响黄瓜大孢子培养的植株再生率。

因此,在黄瓜大孢子培养的科研和实践中,需要找到一种有效地克服再生植株发生花打顶生理障碍的培养方法。

发明内容

本发明提供一种黄瓜大孢子培养中克服再生植株花打顶的方法,该方法通过将发生花打顶的再生植株移至恢复培养基进行恢复培养,并控制所述恢复培养的光照条件、温度条件、湿度条件,将所述发生花打顶的再生植株恢复为正常再生植株。

本发明是通过以下技术方案实现的:

一种黄瓜大孢子培养中克服再生植株花打顶的方法,通过将发生花打顶现象的再生植株移至恢复培养基进行恢复培养,并控制所述恢复培养的光照条件、温度条件、湿度条件,将所述发生花打顶的再生植株恢复为正常再生植株;

进一步地,所述恢复培养基为,以MS基本培养基为基础,添加赤霉素0.3-1.0mg/L,优选为0.5mg/L;

进一步地,所述光照条件为:白天光照强为度6000LUX-12000LUX,优选为9000LUX,光照时间12-18h,优选为16h;夜晚光照强度为0LUX,光照时间为6h-12h,优选为8h;

进一步地,所述温度条件为:白天温度为25-30℃,优选温度28℃;夜晚温度为18-25℃,优选为20℃;

进一步地,所述湿度条件为:白天空气湿度为30%-70%,优选为50%;夜晚空气为60%-90%,优选为85%。

进一步地,所述黄瓜的品种为北京102、中农26、津优1中的一种或几种。

相比现有技术,本发明具有如下有益效果:

1、本发明通过添加有赤霉素(GA)的恢复培养基,与光照条件、温度条件、湿度条件协同作用,可以使发生花打顶的小植株打破花打顶生理障碍,培养30天后花打顶植株转化为正常植株的比率达到20-70.3%,大大提供黄瓜大孢子培养的植株再生率。

2、本发明操作简便易行,成本低廉,适合在黄瓜大孢子培养中广泛推广使用,克服花打顶生理障碍。

附图说明

图1为实施例2中发生花打顶生理障碍的再生植株的照片。

图2为实施例2中培养30天后花打顶植株转化为健康植株的照片。

具体实施方式

本发明提供一种黄瓜大孢子培养中克服再生植株花打顶的方法,该方法通过将发生花打顶的再生植株移至恢复培养基进行恢复培养,并控制所述恢复培养的光照条件、温度条件、湿度条件,将所述发生花打顶的再生植株恢复为正常再生植株。

该方法包括如下步骤:

步骤一、更换培养基:在无菌条件下,将发生花打顶的再生植株移至恢复培养基,得到更换完培养基的再生植株。

上述发生花打顶的再生植株是通过以下方法获得的:

取品种为北京102、或中农26、或津优1的黄瓜植株上开花前1d的子房作为外植体;将该外植体清洗后,在超净工作台上用75%的乙醇溶液表面消毒30s,再用2.5%的NAClO溶液灭菌15min,再用无菌水清洗3-4遍,每次1min;再将子房横切为1mm厚度的切片,先接种到诱导培养基(MS+3%蔗糖+1%琼脂+0.04mg/L TDZ),进行35℃热激处理,时间为2d;完成热激处理5-7d后,可观察到子房薄片上有球型胚状物的突起,将该子房薄片转移到分化培养基(MS+3%蔗糖+1%琼脂+0.2mg/L NAA+0.8mg/L 6-BA),室温下进行胚的分化和发育,得到发育成熟的胚状体;将该发育成熟的胚状体转移到再生培养基(MS+3%蔗糖+0.8%琼脂,或MS+3%蔗糖+0.8%琼脂+0.05-0.1mg/L 6-BA)上进行植株再生培养,得到再生植株,该再生培养的环境为:白天光强3000LUX左右,16小时光照处理,夜晚光强0LUX,8小时处理;培养室温度为恒温25℃。

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