[发明专利]DRAM中子单粒子效应试验控制方法与装置

说明书

本发明涉及DRAM中子单粒子效应试验控制方法，包括：S1：对器件的多个控制参数进行设置与计算；S2：在完成设置与计算的多个控制参数组合的约束条件下对器件进行控制。本发明明确规定了试验应当控制的参数条件以及约束各参数的控制方法，优化并提出了完整的试验过程控制理论方法，保证了试验结果的正确性，也为保证航空/航天系统在空间环境中系统可靠性研究奠定了基础。本发明还公开了DRAM中子单粒子效应试验控制装置。

技术领域

本发明涉及自动控制技术领域，尤其涉及DRAM中子单粒子效应试验控制方法与装置。

背景技术

目前，为了研究DRAM的敏感特性，国内目前用14MeV能量的中子来代替实际空间环境中的中子对DRAM进行辐照试验。在试验过程中，如何控制试验参数、约束试验条件，保证试验结果精确性成为进行有效研究的重要前提。目前国内单粒子效应的研究尚属初步阶段，更没有建立完整的试验结果精确性控制体系。因此，从试验参数的确定于控制方法入手，制定了一套试验过程控制理论，可以保证试验结果的正确性，进而为保证航空/航天系统在空间环境中的系统可靠性打下坚实基础。

具体地，DRAM是机载电子设备的关键核心器件，其工作状态将直接影响所在设备的功能。然而在3km-20km的飞行高度中，在大气中子的作用下，DRAM的敏感功能块将会产生单粒子效应，造成软件错误与硬件故障。

进一步地，DRAM的敏感位为存储单元，在实际的空间环境中，各种敏感功能块都有可能发生单粒子翻转。然而在现阶段的模拟实验中，我们只针对设备上的某一个或者某几个的敏感器件上的部分敏感功能块进行辐照试验，并没有全面考虑所有的敏感功能块所能造成的危害；另一方面，在进行辐照试验时，没有对器件总位数B进行严格讨论，没有给出错误数N，累计注量F的控制方法，也没有对试验截止条件N_end，F_end进行理论分析，这些都将导致试验程序的规范性不足，进而影响试验结果的准确性。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是如何从试验应当控制的参数以及出参数控制方法入手，优化一套试验过程控制理论，既能保证试验结果的正确性，又能保证航空/航天系统在空间环境中的系统可靠性的关键问题。

为此目的，本发明提出了DRAM中子单粒子效应试验控制方法，包括具体以下步骤：

S1：对器件的多个控制参数进行设置与计算；

S2：在完成设置与计算的多个控制参数组合的约束条件下对器件进行控制。

具体地，所述多个控制参数包括：错误数观测值N、未防护位B、注量率F、器件敏感功能块数i、错误类型数j、试验截止检测错误数N_end以及截止注量F_end。

进一步地，所述错误数观测值N由公式计算获得，所述公式为：

N＝N₀*[错误传递率/(软件用例覆盖率*软件用例测试覆盖率)]，其中，N₀为初始错误数观测值，所述错误传递率、软件用例覆盖率以及软件用例测试覆盖率均为试验联调联试时的获取值。

进一步地，所述未防护位B由公式计算获得，所述公式为：

B＝B₀*资源利用率*未防护率，其中，B₀为真实的配置工作位数，所述资源利用率以及未防护率均为试验联调联试时的获取值。

进一步地，所述注量率F由公式计算获得，所述公式为：

其中，F为试验器件接收到的中子累积注量，单位为n/cm²；Netarea为监测到的靶源产生的α粒子数；R为试验器件到靶源的距离，单位为cm。