[发明专利]二氧化锡纳米线修饰的三氧化二铁纳米棒阵列的制备方法

权利要求书

1.一种二氧化锡纳米线修饰的三氧化二铁纳米棒阵列的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：

步骤1：将清洗基底材料去除其表面的有机物并晾干，配制含有0.05~0.1 mol/L三氯化铁以及0.05~0.1 mol/L硫酸钠的混合溶液A，将所述混合溶液A加入到水热反应釜中，而后将所述基底材料加入到水热反应釜中的混合溶液A中，在100~120℃下反应8~12小时，即可在所述基底材料表面形成一层排列有序的针铁矿（α-FeOOH）纳米棒阵列；

步骤2：将在步骤1得到的表面生长有针铁矿（α-FeOOH）纳米棒阵列的所述基底材料取出用去离子水清洗后移到箱式电阻炉中，在400~450℃下保温1~2小时，即可在基底材料表面形成一层排列有序的三氧化二铁（α-Fe₂O₃）纳米棒阵列；

步骤3：将在步骤2得到的表面生长有三氧化二铁（α-Fe₂O₃）纳米棒阵列的基底材料放入到含有0.01~0.02 M四氯化锡以及0.25~0.5 M氢氧化钠的混合溶液B中，将放置有三氧化二铁（α-Fe₂O₃）纳米棒阵列的所述混合溶液B加入到水热反应釜中，在200~220℃下反应1~3小时，取出反应后的基底材料清洗并干燥，即可在基底材料表面得到二氧化锡纳米线修饰的三氧化二铁（SnO₂/α-Fe₂O₃）纳米棒阵列。

2.根据权利要求1所述的二氧化锡纳米线修饰的三氧化二铁纳米棒阵列的制备方法，其特征在于：在步骤1前将所述基底材料的表面氧化物打磨光滑平整。

3.根据权利要求1或2所述的二氧化锡纳米线修饰的三氧化二铁纳米棒阵列的制备方法，其特征在于：在步骤1中使用无水乙醇对基底材料表面的有机物进行清洗。

4.根据权利要求3所述的二氧化锡纳米线修饰的三氧化二铁纳米棒阵列的制备方法，其特征在于：所述水热反应釜为有聚四氟乙烯内衬的水热反应釜。

5.根据权利要求3所述的二氧化锡纳米线修饰的三氧化二铁纳米棒阵列的制备方法，其特征在于：所述基底材料为硅片、导电玻璃或稳定金属中的任一种。

6.根据权利要求3所述的二氧化锡纳米线修饰的三氧化二铁纳米棒阵列的制备方法，其特征在于：所配置的混合溶液A中须同时含有0.05~0.1 mol/L三氯化铁以及0.05~0.1 mol/L硫酸钠，经过水热反应后在所述基底材料表面形成一层排列有序的针铁矿（α-FeOOH）纳米棒阵列。

7.根据权利要求3所述的二氧化锡纳米线修饰的三氧化二铁纳米棒阵列的制备方法，其特征在于：改变所述步骤1~3中反应时间，二氧化锡纳米线修饰的三氧化二铁（SnO₂/α-Fe₂O₃）纳米棒阵列中二氧化锡（SnO₂）的含量不同。